电子科大《模拟集成电路分析与设计》（罗萍）2020期末考试重难点整理

考试时间：2020.12.17 10:10am (开卷)
各类知识点按重要等级划分为四级：
★★★：非常重要或基础/必考此题或是必考题的关键步骤/要熟练掌握推导或运算
★★：很重要/很可能考/最好熟练掌握推导或运算
★：需要知道内容或了解
○：了解即可
第一章 集成电路有源器件的模型与比较（4 学时）
★★★BJT/MOS的小信号等效电路
★★★BJT/MOS的工作状态（饱和区、截止区、线性区）特性
★★BJT/MOS的厄利效应（厄利效应是rds的来源）
★★BJT/MOS的弱反型区特性、体效应
★★MOS跨导gm的含义、表达式
★BJT/MOS的大信号等效电路
★BJT/MOS的寄生电容分布
★特征频率Ft
○PN结的所有内容
第二章 放大器、源极跟随器与共源共栅放大器（4 学时）
1，单管放大器
★★★从S端看入的Rin，从D端看入的Rout，加负载后的Rout
★★★增益Av表达式、小信号等效模型
★★★带宽、增益带宽（含义、表达式）
★★★弥勒效应原理、弥勒电容的拆分
★★★加源极负载后的各指标

★★