晶豪（ESMT）nand flash对内存页的读取、ECC校验 F59L2G81A

最新推荐文章于 2022-10-29 18:02:02 发布
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文章标签： BCH NAND Flash ECC OOB ESMT F59L2G81A
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本文链接：https://blog.csdn.net/qq_39491224/article/details/80324550
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本文详细介绍了ESMT的F59L2G81A NAND Flash的内存页结构，包括2048个块，每个块有64页，每页包含2KB数据和64Bytes OOB区域。读取数据时，需要进行ECC校验。ECC采用4bit BCH算法，每512字节生成一组ECC，存储在OOB的最后28字节。坏块标志位于OBB的第517字节，非坏块时为FF。
摘要由CSDN通过智能技术生成

nand flash(F59L2G81A)

包含2048block,     1 block = 64 pages;    1 page = 2 KB + 64Bytes.                                                                                      1 device = (2K+64) Bytes * 64 pages * 2048 blocks = 2112 Mbits

Array Address

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