三极管与场效应管区别

为什么MOS管要并联个二极管，有什么作用？体二极管的原理

MOS管双向导通及正、反向导通应用解析-KIA MOS管

NMOS（如IRF540N）：原理图封装引脚由下到上依次为S、G、D，PCB封装引脚从左到右依次为GDS，做开关时由D串联到负极，Vgs为正电压导通（具体参照Vgs关系图标），一般4V为临界点，Vgs越大导通越彻底；?

PMOS（如IRF9Z34）：PCB封装也为GDS，做开关时从S串联接到正极，Vgs为负电压导通，一般以-4V为临界点，即Vgs<=-4V时导通，Vgs绝对值越大导通越彻底，Vgs大于-4V则截止。下图为540Vgs关系：

NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。
PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。

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t0-t1：CGS1开始充电，栅极电压还没有到达
VGS（th），导电沟道没有
形成，MOSFET仍处于关闭状态
。
[t1-t2]区间, GS间电压到达Vgs（th），DS间导电沟道开始形成，
MOSFET开启，DS电流增加到ID, Cgs2迅速充电，Vgs由Vgs（th）指
数增长到Va
[t2
-t3]区间,MOSFET ,MOSFET
的DS电压降至与Vgs相同,产生Millier Millier效应，Cgd
电容大大增加,栅极电流持续流过，由于
Cgd电容急剧增大，抑制了
栅极电压对
Cgs的充电,从而使得
Vgs近乎水平状态，Cgd电容上电压增
加,而DS电容上的电压继续减小;
[t3-t4]区间,至t3时刻,MOSFET的DS电压降至饱和导通时的电压
,Millier效应影响变小，Cgd电容变小并和
Cgs电容一起由外部驱动电
压充电, Cgs电容的电压上升,至t4时刻为止.此时

当UDS增大到某一临界值，使UGD≤UT时，漏端的沟道消失，只剩下耗尽层，把这种情况称为沟道“预夹断”，如图2—56（a）所示。继续增大UDS(即UDS＞UGS－UT)，夹断点向源极方向移动，如图2—56（b）所示。尽管夹断点在移动，但沟道区（源极S到夹断点）的电压降保持不变，仍等于UGS－UT。因此,UDS多余部分电压[UDS－(UGS－UT)]全部降到夹断区上，在夹断区内形成较强的电场。这时电子沿沟道从源极流向夹断区，当电子到达夹断区边缘时，受夹断区强电场的作用，会很快的漂移到漏极。

N沟道耗尽型MOSFET的结构与增强型MOSFET结构类似，只有一点不同，就是N沟道耗尽型MOSFET在栅极电压uGS=0时，沟道已经存在。该N沟道是在制造过程中应用离子注入法预先在衬底的表面，在D、S之间制造的，称之为初始沟道。N沟道耗尽型MOSFET的结构和符号如图1.（a）所示，它是在栅极下方的SiO2绝缘层中掺入了大量的金属正离子。所以当VGS＝0时，这些正离子已经感应出反型层，形成了沟道。于是，只要有漏源电压，就有漏极电流存在。当VGS＞0时，将使ID进一步增加。VGS＜0时，随着VGS的减小漏极电流逐渐减小，直至ID＝0。对应ID＝0的VGS称为夹断电压，用符号VGS(off)表示，有时也用VP表示。N沟道耗尽型MOSFET的转移特性曲线如图1.（b）所示。