【硬件篇】共发射极放大电路---学习笔记

        梳理学习的知识点，巩固学习的内容。

一、基础放大电路

        实现一个交流正弦波输入信号，经放大电路最终输出放大5倍的交流正弦波信号。

元器件参数选择，知识要点：

        1、通过R1、R2分压实现三极管的导通，一般认为反向电压为0.6V，分压后的直流分量电压为VB，VB的大小由IE决定;

        2、当三极管导通时，IC=IB+IE，由于基极电流较小，所以实际应用中可忽略不计，粗略的看作IE=IC，即流经RC与RE的电流相等，放大倍数为5，所以RC：RE=5：1；

        3、基极与发射极之间的压降VBE存在随温度升高而降低的特性（2SC2458晶体管的特性为-2.5mV/℃），所以VBE的电压需要大于1V，这里取VBE=2V，进而得到电流IE=1mA=IC及RC、RE的具体阻值，RC=10kΩ，RE=2kΩ（这里电流等于1mA也方便后续的计算，所以电流的取值一般为0.1mA、1mA最佳），此时要点1中的VB=VBE+0.6V=2.6V，根据分压计算出R1和R2的阻值比；

        4、查看晶体管手册获得hFE---直流电流放大系数的范围，假如取hFE=200，基极电流IB=IE/hFE=0.005mA，再结合要点3获得的阻值比计算出实际适合的阻值，R1=124kΩ，R2=26kΩ，就近选择现实存在的电阻，即R1≈100kΩ，R2≈22kΩ；

        5、C1、C2电容的作用为隔直通交，C1取10uF，交流信号下R1与R2看作是并联，则导通频率f1=1/2Π*R*C=0.9Hz，而C2的容值要结合外部连接的输出负载电阻考虑；

        6、C3、C4采用常见的0.1uF和10uF去耦，这里为了降低电源的高频阻抗，将小电容紧贴着电路放置，大电容可以适当放远一点，C3的重要性高于C4，C3一般选择陶瓷电容，C4选择电解电容；

        7、输入阻抗=R1与R2的并联阻值=18kΩ，输出阻抗=RC=10kΩ；

        8、一般情况下，人工搭建的放大电路实际放大倍数是达不到手册里列出的倍数的，这是因为高频情况下的密勒效应形成的大电容与输入阻抗形成了低通滤波，降低了放大倍数；

        为了提供放大倍数且不改变当前放大增益，在基础电路上增加旁路电容，如电路二所示。

二、提供交流放大的旁路电路

要点：

        1、旁路电路的设计只有在高频下起作用，所以不影响基础电路中计算的直流分量相关参数；

        2、上面两个电路在高频下分别通过并联和短接的方式实现RE电阻的减小，当RE减小时，放大增益Av=RE/RC也就增大，改善了交流放大效果，具体的效果可以微调容值；

降低功耗的小技巧电路，如电路3所示。

三、低电源电压、低损耗电流放大电路

要点：

        1、通过增加反向二极管ISS176的方式抵消晶体管的0.6V电压还是挺实用的，这样当电池电量比较低的时候也可以保证直流分量的导通，因为对直流的分压需求不再需要考虑温度的情况；

        2、如果使用这一设计，电路里的元器件参数也要根据变化再重新算一下；

四、两相信号发生电路

要点：

        1、图上的电路比较形象的展示了输入与输出的关系，集电极处的输出波形与输入信号存在相位180°的偏差，而发射极的信号与输入信号一致；

五、低通滤波器电路

要点：

        1、在RC上并了一个电容，频率越高，集电极的负载电阻越小，电压增益越小，实现了1kHz的截止频率功能（截止频率fc=1/2Π*RC*C=1.061kHz）；

        类似的还有高频增强电路

        

        学习资料：《晶体管电路设计》上册第二章。