固态硬盘SSD学习笔记：闪存

一. 闪存物理结构

固态硬盘的工作原理很多是基于闪存特性的。比如闪存在写之前必须先擦除，不能覆盖写，于是固态硬盘才需要垃圾回收；闪存每个块擦写次数达到一定值后，这个快要么变成坏块，要么存储在上面的数据不可靠，所以固态硬盘固件必须做磨损平衡，让数据平均写在所有块上，而不是盯着几个块拼命写（不然盘很快就废了）。还有很多例子，固态硬盘内部很多算法都是在为闪存服务。

1.1 闪存原理

闪存是一种非易失性存储器，也就是掉电了数据也不会丢失。闪存基本存储单元（cell）是一种类NMOS的双层浮栅（Floating Gate）MOS管。

在源极（Source）和漏极（Drain）之间电流单向传导的半导体上形成存储电子的浮栅，浮栅上下被绝缘层包围，存储在里面的电子不会因为掉电而消失，所以闪存是非易失性存储器。
写操作是在控制极加正电压，使电子通过绝缘层进入浮栅极。擦除操作正好相反，是在衬底加正电压，把电子从浮栅极中吸出来。

1.2 SLC、MLC、TLC

一个存储单元存储1bit数据的闪存，我们叫它为SLC（Single level cell），存储2bit数据的闪存为MLC（Multiple level cell），存储3bit数据的是TLC。还有厂商在研发QLC。
闪存芯片里面存储单元的阈值电压分布函数，横轴是阈值电压，纵轴是存储单元数量。其实在0或1的时候，并非所有的存储单元都是同样的阈值电压，而是以这个电压为中心的一个分布。读的时候采样电压落在1范围里，就认为是1；落在0范围就认为是0。
SLC电压分布：

擦除之后，闪存读出来的值为1，充过电之后，就是0。所以，如果需要写1，就什么都不用干；写0，就需要充电到0。
对MLC来说，如果一个闪存单元存储4个状态，那么它只能存储2bit的数据。通俗来说就是把浮栅极里面的电子个数进行一个划分，比如低于10个电子判0；11-20个为1；21-30个为2；多余30个为3。
MLC电压分布：

以此类推，TLC若是一个存储单元有8个状态，可以存3bit的数据：

同样一个面积的存储单元，SLC, MLC, TLC分别可以存1b, 2b, 3b的数据，所以在同样面积的DIE上，闪存容量依次变大。
同时，一个存储单元电子划分得越多，写入的时候&#