【RF AMP】RF AMP

一、平衡式 推挽式

平衡式 用电桥来合并功率
推挽式 相位不同，用巴伦来合并功率

二、VDMOS LDMOS GaN CMOS的区别是什么？

VDMOS（Vertical Double-diffused Metal Oxide Semiconductor）、LDMOS（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor）、GaN（Gallium Nitride）和 CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor）在以下方面存在区别：

1. 材料特性：

   • GaN 是一种宽禁带半导体材料，具有更高的电子迁移率、更高的击穿电场和更高的热导率。
   • VDMOS、LDMOS 和 CMOS 通常基于硅材料。

2. 性能特点：

   • GaN 器件能够在更高的频率、更高的功率和更高的温度下工作，具有更高的效率和更小的尺寸。
   • VDMOS 适用于中高压、中等功率的应用。
   • LDMOS 在射频功率放大器中应用广泛，特别是在无线通信领域。
   • CMOS 则在数字集成电路中常见，具有低功耗、高集成度等优点。

3. 应用领域：

   • GaN 常用于高频、高功率的射频和电力电子领域，如 5G 通信基站、电动汽车充电器等。
   • VDMOS 常用于电机驱动、电源管理等。
   • LDMOS 主要用于射频功率放大器，如移动通信基站。
   • CMOS 广泛应用于微处理器、存储器、逻辑电路等数字领域。

4. 制造工艺：

   • 由于材料和性能的不同，它们的制造工艺也存在差异。GaN 器件的制造工艺相对较新且复杂。

总之，这几种技术各有特点和优势，适用于不同的应用场景，以满足各种电子系统对性能、功率、频率和成本等方面的要求。

三、功放调试时要注意自激问题

四、变压器1：2 是巴伦

1：4
1：9
都是做什么的

五、宽带的匹配电路

六、 最大输出能力 最大效率一般都在一起

七、A类，AB类。。。功放有什么区别

八、功放选型时要注意的点

1. 阻抗
2. 电压
3. 功率
4. 效率