一、平衡式 推挽式
平衡式 用电桥来合并功率
推挽式 相位不同,用巴伦来合并功率
二、VDMOS LDMOS GaN CMOS的区别是什么?
VDMOS(Vertical Double-diffused Metal Oxide Semiconductor)、LDMOS(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)、GaN(Gallium Nitride)和 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)在以下方面存在区别:
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材料特性:
- GaN 是一种宽禁带半导体材料,具有更高的电子迁移率、更高的击穿电场和更高的热导率。
- VDMOS、LDMOS 和 CMOS 通常基于硅材料。
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性能特点:
- GaN 器件能够在更高的频率、更高的功率和更高的温度下工作,具有更高的效率和更小的尺寸。
- VDMOS 适用于中高压、中等功率的应用。
- LDMOS 在射频功率放大器中应用广泛,特别是在无线通信领域。
- CMOS 则在数字集成电路中常见,具有低功耗、高集成度等优点。
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应用领域:
- GaN 常用于高频、高功率的射频和电力电子领域,如 5G 通信基站、电动汽车充电器等。
- VDMOS 常用于电机驱动、电源管理等。
- LDMOS 主要用于射频功率放大器,如移动通信基站。
- CMOS 广泛应用于微处理器、存储器、逻辑电路等数字领域。
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制造工艺:
- 由于材料和性能的不同,它们的制造工艺也存在差异。GaN 器件的制造工艺相对较新且复杂。
总之,这几种技术各有特点和优势,适用于不同的应用场景,以满足各种电子系统对性能、功率、频率和成本等方面的要求。
三、功放调试时要注意自激问题
四、变压器1:2 是巴伦
1:4
1:9
都是做什么的
五、宽带的匹配电路
六、 最大输出能力 最大效率一般都在一起
七、A类,AB类。。。功放有什么区别
八、功放选型时要注意的点
- 阻抗
- 电压
- 功率
- 效率