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RSS订阅原创 数字集成电路-电路、系统与设计（第二版）第8章 数字集成电路的实现策略
第8章 数字集成电路的实现策略8.2从定制到半定制以及结构化阵列的设计方法数字电路实现方法：定制 半定制半定制：1.基于单元：1).标准单元编译单元 2).宏单元2.基于阵列：1).预扩散（门阵列） 2).预布线（FPGA）8.3定制电路设计定制设计费工的本质意味着成本较高和投放市场所需的时间较长，因此仅在以下情况下被认为在经济上是合理的：· 定制模块可以重复利用（例如：作为库单元）· 成本可以分摊到大生产量上。例如微处理器和半导体存储器即为这一类应用的实例。· 成本不是
2022-01-20 20:32:33
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原创 数字集成电路-电路、系统与设计（第二版）第3、4章
第3章 器件3.2极管数字电路中，每个MOS管内都内含有一定数量的反向偏置二极管。二级效应：雪崩击穿：反向偏压的增加提高了结上的电场强度，因而使穿越耗尽区的载流子加速到一个很高的速度。达到一个临界场强Eiru时，载流子的能量达到足够高的水平，因此当与不能移动的硅原子碰撞时就形成了电子空穴对。这些载流子在离开耗尽区之前又接着形成更多的载流子。虽然雪崩击穿就其本身而言并不是破坏性的而且其影响在反向偏置撤出后也会消失，但建议不要使一个二极管长期处于这种状态，因为大的电流以及由此产生的热耗可能会造成
2022-01-20 17:25:39
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原创 数字集成电路-电路、系统与设计（第二版）第2章
第2章 制造工艺2.2 CMOS集成电路的制造2.2.1硅圆片制造工艺的基础材料是一个单晶轻掺杂圆片。2.2.2光刻光刻：工艺步骤中，芯片的某些区域采用合适的光掩膜遮蔽起来，从而使所需进行的工艺步骤能够有选择地应用在芯片的其余区域的选择性掩膜技术。2.2.3一些重复进行的工艺步骤扩散和离子注入：在源区、漏区、阱和衬底接触的形成、多晶硅以及器件阈值的调整。引入掺杂剂的两种工艺方法——扩散和离子注入。沉淀、刻蚀和平坦化2.2.4简化的CMOS工艺流程定义有源区刻蚀及在绝缘
2022-01-20 17:25:07
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空空如也
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