块设备驱动之nand flash驱动

最新推荐文章于 2024-02-29 08:02:33 发布
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分类专栏： JZ2440开发板学习
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本文链接：https://blog.csdn.net/qq_42230338/article/details/99675715
版权

NAND 原理及硬件操作

在这里插入图片描述
写块设置驱动程序步骤：
1，以面向对象的思想分配 gendisk 结构体。用 alloc_disk 函数。
2，设置 gendisk 结构体。
①，分配/设置一个队列：request_queue_t. （提供读写能力）用 blk_init_queue 函
数。
②，设置 gendisk 其他信息。（提供磁盘属性：磁盘容量，扇区大小等）
3，注册 gendisk 结构体。用 add_disk 函数。
操作不用我们关心，格式化、读写文件等都是由“文件系统”这一层将文件的读写转
换成对扇区的读写的。调用“ll_rw_block”会把读写放到你的队列中去。会调用你“队列
请求处理函数”来处理。只要你写好“队列请求处理”函数即可。

一,NANA 接线图 上相关的 引脚含义：
在这里插入图片描述和 2440 有接数据线“LDATA0 ~ 7”8 个数据线。
NAND FLASH 是一个存储芯片
那么: 这样的操作很合理"读地址 A 的数据，把数据 B 写到地址 A"
A:地址线，数据线，命令 与 ALE,CLE 信号
问 1. 原理图上 NAND FLASH 和 S3C2440 之间只有数据线(LDATA0~7),没有看到地址引脚。
怎么传输地址（如何将地址信号告诉 NAND）？答案：复用。
答 1．在 DATA0～DATA7 上既传输数据，又传输地址。用一个信号 ALE 分辨是“地址”还是
“信号”，当 ALE 为高电平时传输的是
地址。当 ALE 为低电平是传输的是数据。

在这个 DATA0~7 的数据线上，是否只传输数据或是地址呢？看 NAND 的芯片手册《K9F2G08U0A.pdf》上得知对 NAND 的操作还要发出命令。
在这里插入图片描述
如上，想“read”读时，要先发出命令“00h”.等等操作都要先发出“命令”。
问 2. 从 NAND FLASH 芯片手册可知，要操作 NAND FLASH 需要先发出命令，只有 8 条
DATA0~7 的数据线 怎么传入命令？
答 2．在 DATA0～DATA7 上既传输数据，又传输地址，也传输命令。 当 ALE 为高电平时传输的是地址，
当 CLE 为高电平时传输的是命令， 当 ALE 和 CLE 都为低电平时传输的是数据。
以上便清楚了“CLE”、“ALE”。

B:片选信号“CE”
原理图上还有个“CE - 片选信号”，如何理解“片选信号”：
查 DATA0 接有哪里：
在这里插入图片描述LDATA0 还有接到“NOR flash”上。
LDATA 0 还有接到“内存”上。
其实 LDATA0 还有接到如网卡等设备上

问 3. 数据线既接到 NAND FLASH，也接到 NOR FLASH，还接到 SDRAM、DM9000 等等
那么怎么避免干扰？
答 3. 这些设备，要访问之前必须"选中"，没有选中的芯片不会工作，相当于没接一样。
要“选中”这就是它们都有“片选”
信号。
比如 NAND，要让引脚“nFCE”变成低电平选中。内存要选中，则片选引脚“nSCS”要
变成低电平。NOR 是“nCE”片选信号变成低电平选中。

C：RnB - 状态引脚
问 4. 假设烧写 NAND FLASH，把命令、地址、数据发给它之后，
NAND FLASH 肯定不可能瞬间完成烧写的，
怎么判断烧写完成？
答 4. 通过状态引脚 RnB 来判断：它为高电平表示就绪，它为低电平表示正忙。
D：nFRE nFWE 这是读写信号。

二，如何操作 NAND FLASH:
问 5. 怎么操作 NAND FLASH 呢？

答 5. 根据 NAND FLASH 的芯片手册，一般的过程是：
发出命令
发出地址
发出数据 或 读数据
在这里插入图片描述
看“命令”不容易看，就看“时序图”，比如命令表格中的“read ID”.所谓“时序
图”，就是“横轴”是时间。纵轴上各“信号”为不同电平时，横轴上相同“列–纵轴”
所对应的功能动作。
“Read ID Operation”：
在这里插入图片描述

每个 NAND FLASH，都内嵌了一些 ID，如厂家 ID，设备 ID。
“时序图”从左往右看，横轴是时间。纵方向则是“一列一列”的看。

CE:片选，低电平时为选中芯片。这里是选中 NAND 芯片（因为 8 条 DATA0~7 接到不同设
备，要用片选来选中某设备）。
CLE:当 CLE 为高电平时传输的是“命令”。
当 ALE 为高电平时传输的是地址。
WE：写脉冲。
RE: 读脉冲。
I/Ox:是 8 条数据线。在 DATA0～DATA7 上既传输数据，又传输地址，也传输命令。当 ALE
和 CLE 都为低电平时传输的是数据。

“读 ID 操作”：
0： CE 为低电平，选中此 NAND 设备：
在这里插入图片描述
1： CLE 为高电平，在数据线“I/Ox”上输出“90h”。
发出“90h”命令，就是在这个 8 条数据线上“I/Ox”发出“90h”值。如何知道它是“命
令”？则往纵轴看，"90h"这一列上面“CLE”为“高电平”了。（在上面的 NAND 与 2440
连接引脚中知道：当 CLE 为高电平时传输的是命令。）
在这里插入图片描述2： 再给一个“写脉冲 - WE”。
在“WE”的上升沿，NAND 就把“I/Ox”数据线上输入的“90h”存进来。
在这里插入图片描述3："I/Ox"数据线上接着发出一个“0 地址 - 00h”(Address 1cycle).
然后就可以读数据了。
在这里插入图片描述
4：读数据，从"I/Ox"这 8 条数据线上读到第一个数据是“ECh”。
第二个值是一个“设备 ID - Device Code”
在这里插入图片描述
2440 内部集成了一个 NAND 控制器
在这里插入图片描述

用 UBOOT 来体验 NAND FLASH 的操作：
1. 读ID
S3C2440 u-boot
选中 NFCONT的bit1设为0 md.l 0x4E000004 1; mw.l 0x4E000004 1
发出命令0x90 NFCMMD=0x90 mw.b 0x4E000008 0x90
发出地址0x00 NFADDR=0x00 mw.b 0x4E00000C 0x00
读数据得到0xEC val=NFDATA md.b 0x4E000010 1
读数据得到device code val=NFDATA md.b 0x4E000010 1
0xda
退出读ID的状态 NFCMMD=0xff mw.b 0x4E000008 0xff

2. 读内容: 读0地址的数据
使用UBOOT命令:
nand dump 0
Page 00000000 dump:
17 00 00 ea 14 f0 9f e5 14 f0 9f e5 14 f0 9f e5

                           S3C2440               						  u-boot

选中 NFCONT的bit1设为0 md.l 0x4E000004 1; mw.l 0x4E000004 1
发出命令0x00 NFCMMD=0x00 mw.b 0x4E000008 0x00
发出地址0x00 NFADDR=0x00 mw.b 0x4E00000C 0x00
发出地址0x00 NFADDR=0x00 mw.b 0x4E00000C 0x00
发出地址0x00 NFADDR=0x00 mw.b 0x4E00000C 0x00
发出地址0x00 NFADDR=0x00 mw.b 0x4E00000C 0x00
发出地址0x00 NFADDR=0x00 mw.b 0x4E00000C 0x00
发出命令0x30 NFCMMD=0x30 mw.b 0x4E000008 0x30
读数据得到0x17 val=NFDATA md.b 0x4E000010 1
读数据得到0x00 val=NFDATA md.b 0x4E000010 1
读数据得到0x00 val=NFDATA md.b 0x4E000010 1
读数据得到0xea val=NFDATA md.b 0x4E000010 1
退出读状态 NFCMMD=0xff mw.b 0x4E000008 0xff

读的时序图：Read Operation在这里插入图片描述

在这里插入图片描述
I/Ox 从“列”轴上看到“CLE”高电平（CLE 为高电平时，数据线发“命令”）发出
“00h”命令，之后“CLE”成为“低电平”，而“ALE”变成高电平（ALE 为高电平时，数
据线发送地址），所以"I/Ox"接着发出地址“Col. Add1、Col. Add2、Row Add1、Row
Add2、Row Add3”5 个地址“0”.
这里需要发 5 个地址，因为这个 NAND 是 256 M。要多少个地址位。
若“地址线”只有一条，则只能表示“1”或“0”，即表示 2 个地址。
若“地址线”有两条，则能表示 2 次方 “00”“01”“10”“11”4 个地址。
当 容量为 256M 时，“地址线”要多少条？
2? =256M
= 28 + 2
20
= 2
M 是 2 的 20 次方，256M 至少需要 2 的 28 条，至少需要 28 位的数据表示这个地址值。
28 除以 8 差不多为 4 个周期，为了兼容更大容量的 FLASH.
在这里插入图片描述

NAND 驱动编写：

一，入口函数框架：
在这里插入图片描述设置“nand_chip”结构就是给“nand_scan()”来使用，这里先不知道如何设置，就先看
如何使用，然后再设置。

一，设置 nand_chip 结构：
过程主要是分析“nand_scan”中使用 nand_chip 的情况来分析要如何设置它。
跟踪 nand_scan 函数：
在这里插入图片描述
在这里插入图片描述
我们实验里的 NAND FLASH 是 8 位（8 条数据线）
nand_set_defaults 下面都是相关函数为空时给一个默认的函数。nandflash 协
议这一层
在这里插入图片描述
假设上面的默认函数我们都可以使用， 接着如下：
在这里插入图片描述

上面是分析其他代码中使用“nand_scan()”时涉及“nand_chip”结构和“mtd_info”
结构方面相关要设置的部分。因为我们自已写代码时，要设置这两个结构，但一开始并不
知道如何去设置，这样去分析别人的代码里关于“使用”时，nand_scan()中会如何使得这
两个结构，从而得出应该如何去设置这两个结构。
从对 nand_scan 的分析，其他有一个“nand_set_default”的默认设置的函数（相当于知
道要去做什么才定义这些
默认操作函数：选中，发命令\地址，读数据等<nand flash 协议>）。这个默认设置完成
后，就开始去实现（要知道如何具体实现<硬件相关代码>）

假设上面的默认函数我们都可以使用， 接着如下：

1，片选芯片：
chip->select_chip(mtd, 0); 选中芯片，看看默认的函数中设置的是什么，是否适合我们
的平台。
则看默认的选择芯片的函数：chip->select_chip = nand_select_chip;在其的实现中，如
下
在这里插入图片描述
则 chip->select_chip(mtd, 0); 当形参 2 为“0”时，是"case:0"部分，是什么也没有
做。所以这个默认的选择芯片的默认操作并不适合我们。我们要自已写一个
“select_chip()”函数。
选中芯片时，要选中 2440 NAND 控制器中的“NFCONT”寄存器“Reg_nCE”bit1 域设置为
“0”，片选上 NAND 芯片。
在这里插入图片描述2，发命令/地址、数据：
在这里插入图片描述
“page_addr”：页地址即 NAND FLASH 取地址时，是先看是哪一页，再看这一页里是哪个地址。–>chip->cmd_ctrl(mtd, readcmd, ctrl); 发命令。参 2 为命令值或地址值，参 3 控制了是发命令还是发地址。不知道这里是如何实现的“cmd_ctrl”，则参考“nand_chip->cmd_ctrl = at91_nand_cmd_ctrl;”
在这里插入图片描述
ALE 为高电平时发地址
从上面知道，默认函数 chip->cmdfunc = nand_command;也是需要构造 nand_chip 结构里
的“cmdfunc”函数。只不过从“at91_nand.c”中知道了如何具体实现这个函数而已。
在这里插入图片描述

在这里插入图片描述
3，读数据：厂家 ID 和设备 ID
默认函数为：chip->read_byte = busw ? nand_read_byte16 : nand_read_byte;
我们的总线数据位宽是 8 位（8 条数据线），所以看“nand_read_byte”函数。
在这里插入图片描述
从默认函数的操作中发现还是要提供：nand_chip->IO_ADDR_R.所以我们得自已写“读数
据”的函数。
在这里插入图片描述4，写数据：
在这里插入图片描述
是写到“IO_ADDR_W”中，也需要自已提供。
在这里插入图片描述
5，判断状态：
在这里插入图片描述
从原理图上看，判断状态是读“RnB”引脚。
chip->waitfunc = nand_wait;
–>chip->dev_ready(mtd)

这个“dev_ready()”函数也得自已提供。2440 中有一个 NFSTAT 寄存器：
在这里插入图片描述
在这里插入图片描述
在这里插入图片描述

二，硬件相关的设置：

要看时序图：硬件设置主要就是下面这些信号间的时间参数的设置。
A,NFCONF 寄存器设置：HCLK=100MHz* TACLS: 发出 CLE/ALE 之后多长时间才发出 nWE 信号, 从 NAND 手册可知 CLE/ALE 与nWE 可以同时发出,所以 TACLS=0* TWRPH0: nWE 的脉冲宽度, HCLK x ( TWRPH0 + 1 ), 从 NAND 手册可知它要>=12ns, 所 以 TWRPH0>=1* TWRPH1: nWE 变为高电平后多长时间 CLE/ALE 才能变为低电平, 从 NAND 手册可知它要>=5ns, 所以 TWRPH1>=0
在这里插入图片描述
发上面这些信号之间需要维持一个稳定的时钟。不然 NAND FLASH 可以反应不过来。
从 2440 手册上看，就是要设置下面 NFCONF 寄存器中的三个位域。
在这里插入图片描述
内核的输入信息说明“HCLK”为 100MHz。则一个周期为 1/100M = 10ns .
在这里插入图片描述
从上图知道：2440NAND 控制器
“TWRPH0”是“nWE”(写信号)的脉冲宽度。
发出“CLE/ALE”后，要过“TACLS”时间才能开始发一个“nWE”写信号。
“nWE”写信号变成高电平之后，还要过“TWRPH1”时间，“CLE/ALE”就变成低电平。
再看 NAND 芯片的时序图：找个简单的（意思一样）
在这里插入图片描述
看NAND 芯片手册
1，“tWP”:“WE”写脉冲要维持的时间“twp”:
对应 2440 上的“TWRPH0”
在这里插入图片描述
在这里插入图片描述

2,“tCLH”:
当一个“WE”写脉冲结束后，要过“tCLH”时长，发命令 CLE 高电平期间会变成低电平。
对应 2440 上“TWRPH1”.
在这里插入图片描述
3,“CLE/ALE”
高电平多久后，开始“WE”写脉冲。
对应于 2440 上的"TACLS":通过 NAND 芯片手册规则看 TACLS≥0.
在这里插入图片描述
从 NAND 芯片手册上规定的时间来看，ALE/CLE 的 setup 时间都是“大于等于 12ns”和 WE
（脉冲时间为 12ns）可以同时发出。
即：
在这里插入图片描述
4,“TWRPH1”：
在这里插入图片描述
从 2440 手册上看有“加 1”。即 (’?’+1) * HCLK ≥ 12ns

在这里插入图片描述

为了省电。内核启动时会将一些用不到的模块都关掉。要使用某模块就得使能ＣＬＫ
ＣＯＮ相关位域。
在这里插入图片描述
在这里插入图片描述
这里要发 使能 ＮＡＮＤ模块，就要将“ＣＬＫＣＯＮ”的 bit[4]设置为“1”，可以
先 ioremap 此寄存器后再设置些位，也可以用“clk_get()”函数。
可以理解这是一个总开关。使能了此 NAND 模块后，才能作设置。
/* 使能 NAND FLASH 控制器的时钟 */
在这里插入图片描述

三，关于 ECC

此 NAND 的结构：
是一页一页（一个扇区一个扇区）的结构，一页是 2KB，除了这 2KB 外还有 64B 的空间，
这个 64B 区叫“OOB”(out of bank 叫作在 BANK 之外的东西）。这个 OOB 区不参与“统一
编址”，就是说假若某一页 A 的地址是“2-2047”，那么 2048 这个地址不是在 OOB 区，而
是在页 B 上（2048-4095）。
引入 OOB，是因为 NAND 有个缺点：位反转。如读一页数据时，里面很可能有某一位发
生了位反转。本来值为 0，读出来为“1”。写的时候也有可能发生“位反转”。
这样引入了“ECC”校验。
解决位反转：烧写时
1，写一页数据。
2，用这一页数据生成 ECC 码（校验码）。
3，把 ECC 写入 OOB 里。
读的时候：
1，读整页的数据。
2，读 OOB 里的 ECC 码。
3，通过读出来的一页数据算校验码。
4，比较从 OOB 里读出来的 ECC 码和通过读到的一页数据算出来的 ECC 码是否相同。
不同则是发生了位反转。ECC 码是特定设置的，可以通过它知道是哪一位发生了反转。
ECC 校验码，可以用硬件生成，也可以用软件生成。
在这里插入图片描述
在这里插入图片描述

四，添加分区：

若只是把 NAND 分成一个分区，则只要用“mtd_device_register(mtd_info 结构)”就可以。
若要构造分区，则用“mtd_device_register（）”。
int mtd_device_register(struct mtd_info *master,const struct mtd_partition *parts,int
nbparts)｛｝
参 1，mtd_info 结构体。
参 2，mtd_partition 结构指针。相当于一个结构数组。最终是数组，组元是结构体。
参 3，就是参 2 这个 mtd_partition 结构数组的组元有多少项。
可以看到内核中原来分区信息：
在这里插入图片描述
可以在内核中搜索上面的分区信息：
linux-2.6.22.6\arch\arm\plat-s3c24xx\Common-smdk.c
在这里插入图片描述

直接将此结构数组改个自已的名字即可。
//要分区时，要构造这个 mtd_partition 结构数组。里面有 4 项。
在这里插入图片描述

mtd_device_unregister（）; //清除分区结构数组.

测试

  1. make menuconfig 去掉内核自带的 NAND FLASH 驱动
    在这里插入图片描述
  2. make uImage
    使用新内核启动, 并且使用 NFS 作为根文件系统 。因为已把 NAND 驱动去掉了。之前在
    NAND 上的根文件系统就用不了。

3.设置 UBOOT 启动参数。

4.从 nfs 上下载内核。

5.启动内核

在这里插入图片描述

源码如下：


/* 参考 
 * drivers\mtd\nand\s3c2410.c
 * drivers\mtd\nand\at91_nand.c
 */

#include <linux/module.h>
#include <linux/types.h>
#include <linux/init.h>
#include <linux/kernel.h>
#include <linux/string.h>
#include <linux/ioport.h>
#include <linux/platform_device.h>
#include <linux/delay.h>
#include <linux/err.h>
#include <linux/slab.h>
#include <linux/clk.h>
 
#include <linux/mtd/mtd.h>
#include <linux/mtd/nand.h>
#include <linux/mtd/nand_ecc.h>
#include <linux/mtd/partitions.h>
 
#include <asm/io.h>

struct s3c_nand_regs{
	unsigned long nfconf  ;
	unsigned long nfcont  ;
	unsigned long nfcmd   ;
	unsigned long nfaddr  ;
	unsigned long nfdata  ;
	unsigned long nfeccd0 ;
	unsigned long nfeccd1 ;
	unsigned long nfeccd  ;
	unsigned long nfstat  ;
	unsigned long nfestat0;
	unsigned long nfestat1;
	unsigned long nfmecc0 ;
	unsigned long nfmecc1 ;
	unsigned long nfsecc  ;
	unsigned long nfsblk  ;
	unsigned long nfeblk  ;
};

static struct nand_chip *s3c_nand;
static struct mtd_info  *s3c_mtd;
static struct s3c_nand_regs *s3c_nand_regs;

static struct mtd_partition s3c_nand_parts[] = {
		[0] = {
        .name   = "bootloader",
        .size   = 0x00040000,
		.offset	= 0,
	},
	[1] = {
        .name   = "params",
        .offset = MTDPART_OFS_APPEND,
        .size   = 0x00020000,
	},
	[2] = {
        .name   = "kernel",
        .offset = MTDPART_OFS_APPEND,
        .size   = 0x00400000,
	},
	[3] = {
        .name   = "root",
        .offset = MTDPART_OFS_APPEND,
        .size   = MTDPART_SIZ_FULL,
	}
};
	


void s3c2440_select_chip(struct mtd_info *mtd, int chip)
{
	if(chip == -1)
	{	
		/* 取消选中: NFCONT[1]设为1 */
		s3c_nand_regs->nfcont |= (1<<1);			
	}
	else
	{
		/* 选中: NFCONT[1]设为0 */
		s3c_nand_regs->nfcont &= ~(1<<1);
	}	
}
void s3c2440_cmd_ctrl(struct mtd_info *mtd, int dat, unsigned int ctrl)
{
	
	if(ctrl & NAND_CLE)
	{
		/* 发命令 NFCMMD = dat */
		s3c_nand_regs->nfcmd = dat;
	}else
	{
		/* 发地址  NFADDR=dat */
		s3c_nand_regs->nfaddr = dat;
	}
}

int s3c2440_dev_ready(struct mtd_info *mtd)
{
	return (s3c_nand_regs->nfstat & (1<<0));;
}

 
static int s3c_nand_init(void)
{
	struct clk *clk;

	/* 1. 分配一个nand_chip结构体 */
	s3c_nand = kzalloc(sizeof(struct nand_chip), GFP_KERNEL);

	s3c_nand_regs = ioremap(0x4E000000, sizeof(struct s3c_nand_regs));

	/* 2. 设置nand_chip结构体 */
	/* 设置nand_chip是给nand_scan函数用的，如果不知道怎么设置，先看nand_scan怎么使用
		它应该提供: 选中、发地址、发命令、读写数据判断状态等功能 */
	s3c_nand->select_chip = s3c2440_select_chip;
	s3c_nand->cmd_ctrl	=	s3c2440_cmd_ctrl;
	s3c_nand->IO_ADDR_R   = &s3c_nand_regs->nfdata;//"NFDATA的虚拟地址";
	s3c_nand->IO_ADDR_W   = &s3c_nand_regs->nfdata;//"NFDATA的虚拟地址";
	s3c_nand->dev_ready   = s3c2440_dev_ready;
	s3c_nand->ecc.mode	  =	NAND_ECC_SOFT;

	/* 3. 硬件相关的操作  根据NAND FLASH的手册设置时间参数 */
	/* 3.1使能NAND FLASH控制器的时钟 */
	clk = clk_get(NULL, "nand");
	clk_enable(clk);              /* CLKCON'bit[4] */
	
	/* HCLK=100MHz = 10ns
	 * TACLS:  发出CLE/ALE之后多长时间才发出nWE信号, 
	 *从NAND手册可知CLE/ALE与nWE可以同时发出,所以TACLS=0
	 * TWRPH0: nWE的脉冲宽度, HCLK(10ns) * ( TWRPH0 + 1 ), 
	 *从NAND手册可知它要>=12ns, 所以TWRPH0>=1
	 * TWRPH1: nWE变为高电平后多长时间CLE/ALE才能变为低电平,
	 *从NAND手册可知它要>=5ns, 所以TWRPH1>=0
	 */
	 
#define TACLS	0
#define TWRPH0 	1
#define TWRPH1	0
	s3c_nand_regs->nfconf = (TACLS<<12) | (TWRPH0<<8) | (TWRPH1<<4);

	/* NFCONT: 
	 * BIT1-设为1, 取消片选 
	 * BIT0-设为1, 使能NAND FLASH控制器
	 */
	s3c_nand_regs->nfcont = (1<<1) | (1<<0);

	/* 4. 使用nand_scan */
	s3c_mtd = kzalloc(sizeof(struct mtd_info), GFP_KERNEL);
	s3c_mtd->owner	 = THIS_MODULE;
	s3c_mtd->priv	 = s3c_nand;
	
	nand_scan(s3c_mtd, 1);
	

	/* 5. 添加分区add_mtd_partitions */
	//add_mtd_partitions(s3c_mtd, s3c_nand_parts, 4);
	mtd_device_register(s3c_mtd, s3c_nand_parts, 4);

	
	return 0;
}

static void s3c_nand_exit(void)
{
	//del_mtd_partitions(s3c_mtd);
	mtd_device_unregister(s3c_mtd);
	kfree(s3c_mtd);
	iounmap(s3c_nand_regs);
	kfree(s3c_nand);
}





module_init(s3c_nand_init);
module_exit(s3c_nand_exit);

MODULE_LICENSE("GPL");
李嘉图Y
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nand.rar_NAND_flash驱动_nandflash
09-14
nandflash驱动程序c源码,可移植的
Linux内核4.14版本——mtd子系统(2)——原始设备层（mtdcore.c、mtdpart.c）
yangguoyu8023的博客
02-08 1003
mtd子系统
mtd_device_register
wmzjzwlzs的专栏
03-29 616
#define mtd_device_register(master, parts, nr_parts) \ mtd_device_parse_register(master, NULL, NULL, parts, nr_parts) int mtd_device_parse_register(struct mtd_info *mtd, const char * const *types, struct mtd_part_parser_data *pa...
【正点原子STM32】FSMC_FMC——NAND FLASH实验（存储原理、存储结构、坏块管理和磨损均衡、控制命令、FMC-NAND FLASH接口、NAND FLASH驱动步骤）
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m0_62140641的博客
02-29 1069
一、NAND FLASH介绍 1.1、NAND FLASH简介 1.2、NAND FLASH寻址 1.3、NAND FLASH控制命令 1.4、NAND FLASH难点二、FMC-NAND FLASH接口介绍 2.1、FMC-NAND FLASH控制器简介 2.2、FMC-NAND FLASH访问参数介绍 2.3、STM32的FMC控制器硬件ECC 2.4、FMC-NAND FLASH控制器相关寄存器介绍 2.5、FMC-NAND FLASH控制器相关HAL库函数介绍三、NAND FLASH驱动步骤
linux下MTD驱动
Destihang的博客
02-16 6795
因为之前不是很了解文件系统，所以要探究一下mtd来加深一下印象。
Linux MTD子系统学习（二）
枫潇潇
06-22 1700
Linux MTD子系统学习（二） 3 Linux MTD spi-nor驱动分析 3.1 spi-nor设备驱动框架 3.2 spi-nor设备注册 如果希望一个spi设备可以在linux系统下很好的工作，除了写驱动，还要向内核申明和注册这个spi设备。目前有两种方法向内核注册一个spi设备。在稍微老点版本的内核（2.6.xx）中通过向内核注册struct spi_board_info对象，来...
内核分区方法
IT利刃出鞘的博客
10-08 2575
目录 MTD分区 控制器驱动分区 bootloader命令行分区 内核配置 mtdparts的格式 mtdparts命令 源码分析（mtdparts） 变相使用命令行 EMMC分区 使用bootloader命令行 示例 格式 源码分析（blkdevparts） 变相使用命令行 MTD分区 有三种分区的方法： 控制器驱动提供分区表 bootloa...
NAND Flash的驱动程序设计
11-11
摘要 以三星公司K9F2808UOB为例，设计了NAND Flash与S3C2410的接口电路,介绍了NAND Flash在ARM嵌入式系统中的设计与实现方法,并在UBoot上进行了验证。所设计的驱动易于移植，可简化嵌入式系统开发。 　引言 　当前...
S34MS01G2 NAND Flash驱动.zip
10-12
NAND Flash 读写驱动 Flash型号：S34MS01G2 主要功能： CheckS34MS01G2，核对ID，检查NAND Flash 是否正常工作 BlockErase， 擦除Block ProgramPage/ProgramBlock， 写Page或者写Block，写Block用了Cache，会更快 ...
make-Nand-Flash-driver-on-linux.zip_NandFlash驱动_nandflash
09-19
本文档详细描述了nandflash硬件特性及在linux下nandflash驱动实现的代码详细注释,可作为编写nandflash驱动的参考
NAND+Flash坏块管理算法及逻辑层驱动设计
07-24
对于nand flash的坏块管理进行优化，并对基于FAT系统的逻辑层驱动进行设计。
Linux nand驱动注册相关接口说明（Linux mtd子系统专栏分析之五）
lickylin的专栏
03-27 1006
在上一篇文章中，我们分析了nand驱动模型中接口抽象以及相关数据结构体的分析，本章我们主要说明nand驱动模型提供的nand controller驱动注册以及nand驱动模块提供的通用接口说明。本章主要包括如下几个内容： 一、nand_controller驱动的注册流程及功能说明 二、nand驱动模型中通用接口说明 一、nand_controller驱动的注册...
mtd介绍
weixin_43490398的博客
09-27 4557
mtd 内存技术设备，引入mtd为nor flash和nand flash设备提供统一接口。mtd将文件系统和底层flash存储器进行隔离。 mtd：设备节点、设备层、原始设备层、硬件驱动层 flash硬件驱动层：对flash硬件读写擦除操作，mtd设备的Nand Flash芯片的驱动则在drivers/mtd/nand/子目录下,Nor Flash芯片驱动位于drivers/mtd/chips/子目录下。 mtd nand flash驱动介绍 flash硬件驱动层：负责在init时驱动flash硬件并建
Linux内核4.14版本——mtd子系统(5)——块mtd设备（mtdblkdevs.c）
yangguoyu8023的博客
02-09 947
mtd_blkdevs.c分析
Linux内核4.14版本——Nand子系统(1)——hisi504_nand.c分析
yangguoyu8023的博客
01-16 1081
nand flash control分析
Linux nand设备驱动
qq_43418840的博客
07-30 1091
1.先看硬件原理图，nand是怎样接到主控芯片的哪里，nand芯片的各个管脚是什么意义？各个管脚要怎样配合才可以访问nand; 主控芯片的nand控制器的RnB管脚接到---->nand芯片的R/B管脚，这个管脚是判断nand芯片是否正忙的管脚，主控芯片通过读nand控制器的RnB为0说明nand正忙(读寄存器NFSTAT的bit0)； 主控芯片的nand控制器的CLE管脚接到---->nand芯片的非CLE管脚，当主控芯片的CLE管脚拉低时，出现在data0~data7的数据是...
十七、Linux驱动之nand flash驱动
墨、白的博客
12-05 2227
1. 基本概念     Nand-flash存储器是flash存储器的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。 2. 硬件分析     本人使用的是韦东山老师的JZ2440...
第19课：nand flash驱动
赶紧十八丶
10-24 2468
1、参考自带的nand flash驱动,位于drivers/mtd/nand/s3c2410.c中 1.1 为什么nand在mtd目录下？ 因为mtd(memory technology device存储技术设备)是用于访问memory设备（ROM、flash ）的Linux的子系统。MTD的主要目的是为了使新的memory设备的驱动更加简单，为此它在硬件和上层之间提供了一个抽象的接口。 1.2首先来看s3c2410.c的入口函数: static int __init ...
7.NandFlash块设备驱动-- 二：NAND FLASH驱动框架
weixin_42918587的博客
12-04 148
接下来我们来参考自带的nand flash驱动,位于drivers/mtd/nand/s3c2410.c中 为什么nand flash设备驱动在mtd目录下？ 因为mtd(memory technology device 存储 技术设备 ) 是用于访问 memory 设备（ ROM 、 flash ）的Linux 的子系统。 MTD 的主要目的是为了使新的 memory 设备的驱动更加简单，为此它...
华邦nandflash驱动
01-20
华邦NAND Flash驱动允许设备通过与NAND Flash芯片通信，实现对存储器的访问和管理。 华邦NAND Flash驱动可提供的功能包括初始化NAND Flash芯片、擦除芯片中的数据块、读取和写入数据到芯片中的特定地址、检查和修复...

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