高压MOS管KNP41100A 2A/1000V
半导体市场,现阶段1000-1500V超高压MOSFET几乎被进口品牌垄断,且存在价格高,交付周期长等弊端。对此可易亚半导体(KIA)针对1000V超高压MOS产品进行了大量的技术革新,通过多年的产品技术积累,开发出耐压更高,导通内阻更低的超高压MOS管,填补了国内空白,打破了进口品牌垄断的局面,也降低了客户对国外产品的依存度。
高压MOS管KNP41100A 2A/1000V
N沟道MOSFET–KNX41100A漏源击穿电压高达1000V,漏极电流最大值为2A,可替换2SK119/IXFP4N100,主适用于工业三相智能电表、LED照明驱动电源、充电桩,光伏逆变器等辅助电源。
高压MOS管KNP41100A 2A/1000V
产品特征:
符合RoHS
RDS(ON).typ=9.6Ω@VGS=10V
低栅极充电可尽量减少开关损耗
快速恢复体二极管
高压MOS管KNP41100A 2A/1000V
高压MOS管KNP41100A 2A/1000V