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集成电路制造工艺

芯片：在晶片上经制备出的晶体管或电路。

1957年，发现SiO₂具有阻止施主杂质或受主杂质向硅内扩散的作用，掩蔽作用。
把不需要扩散的区域用一定厚度的SiO₂保护起来。

3.1 硅平面工艺

3.2 氧化工艺

SiO₂在集成电路中的作用

• 对扩散杂质起掩蔽作用
• 可作为MOS器件的绝缘层，栅极氧化层
• 用作集成电路中的隔离介质和绝缘介质
• 作为集成电路中的电容器介质
• 对器件表面起保护钝化作用

SiO₂薄膜生长方法
（1）热氧化：硅片表面与水、氧或其他含氧物质在高温下进行氧化反应应而生成SiO₂薄膜的方法

• 氧气氧化（分为干法氧化、湿法氧化）
• 氢氧合成氧化
• 高压氧化

（2）化学气相沉积（CVD）：把一种或几种元素的气体供给基片，利用某种方式激活后，在衬底表面处发生化学反应，沉积所需的固体薄膜

• 常压化学气相沉积
• 等离子化学气相沉积
• 低压化学气相沉积

SiO₂薄膜的要求：表面：厚度均匀、表面致密、无斑点、无白雾

氧化技术的发展趋势和面临问题

• 随着集成度提高，器件尺寸不断减小，使MOS器件的氧化层厚度不断减小
• 栅氧化层越博，漏电和击穿越严重，故需要开发高介质的栅氧化层材料
• 随着继承电路尺寸不断减小，布线间距缩小电容明显增大，使器件的延迟增大速度变慢

3.3 扩散掺杂工艺

目的：通过补偿或掺杂，制作N型或P型区域

扩散定律：由于浓度不均匀而导致载流子从高浓度向低浓度逐渐运动的过程
点击查看扩散原理PPT

杂志分布特点
扩散工艺形式不同，但总体可分为恒定源扩散、限定源扩散

• 恒定源扩散：硅片表面处杂质浓度不随时间变化而变
• 限定源扩散：硅中杂质总量不变，随时间增加表面杂质浓度不断下降，杂质扩入硅片的深度增大

常用扩散方法
（固态、液态、气态）
一、在平面扩散工艺中最常用的是液态源扩散

特点：控制扩散T（温度），扩散t（时间），气体流量，来控制掺杂量。
均匀、重复性好、设备简单、容易操作等。
N2 大部分直接进入管中，小部分进入源瓶携带杂质源形成npn双极晶体管的发射区掺杂杂质磷

二、气态片状源扩散
三、固固扩散
预沉积→高温扩散炉→再分布

在硅片表面用化学气相淀积法生产薄膜 (薄膜可以是氧化物、多晶硅和氮化物)
在生长薄膜的同时，在膜内掺杂磷、硼、砷等杂质,这些薄膜内的杂质作为扩散源在高温下向硅片内部扩散

预沉积

• 预扩散：形成表面恒定源的扩散过程
• 控制硅片表面源的杂质总量

再分布

• 表面限定源扩散过程
• 主要用来控制结深

扩散层质量检测方法
扩散目的：掺杂
主要检测：（1）掺入杂质的多少（2）扩散形成的PN结深（3）杂质的具体分布
点击查看方块电阻

3.4离子注入掺杂方法

离子注入：将杂质电离成离子并聚焦成离子束，在电磁场作用下加速轰击进入硅片从而实现掺杂（适用于结深小于1微米的平面工艺
）
离子注入掺杂分两步：（1）离子注入（2）退火再分布

离子注入深度较浅，浓度较大，必须热处理使杂质向半导体体内重新分布。
由于高能粒子的撞击，使硅的晶格发生损伤。为恢复晶格损伤，离子注入后要进行退火处理。

离子掺杂的优点：注入的离子是通过质量分析器选出的，纯度高，能量单一， 掺杂纯度不受杂质源纯度的影响

3.5掩模制版技术

掩膜：是用石英玻璃做成的均匀平坦的薄片，表面上涂一层600800nm厚的Cr层，使其表面光洁度更高，称之为铬版（Cr mask）
电子书制版三部曲

1. 涂抗蚀剂（PMMA）
2. 电子书曝光
3. 显影（二甲苯）

光刻的基本原理：
利用光敏的扛蚀涂层（光刻胶_{(对光敏感的有机薄膜)}）发生化学反应，结合刻蚀方法在各种薄膜上生成合乎要求的图形，实现选择掺杂、形成金属电极和布线或表面钝化的目的

光刻
利用光（和光刻胶）的作用把掩模版（光刻板）上的图形转换到晶片上的过程

点击查看光刻的基本流程

涂胶、煎烘→对准曝光→显定影→坚膜（后烘）→腐蚀→去胶

采用旋转涂胶技术对晶片进行涂胶
光刻胶分为（1）正性光刻胶（2）负性光刻胶

3.6外延生长工艺

3.7金属层制备工艺

3.8隔离工艺技术

3.9 CMOS集成电路工艺流程