晶体振荡器选择考量

什么是振荡器?
振荡器是一种产生重复或周期性时变信号的电子电路。在无线 SoC设备的中,振荡器信号用于为设备中指令和外围设备的执行提供时钟。对于无线电通信,振荡器还为无线电收发器(transceiver)提供准确且低噪声的频率参考。有多种方法可以生成这样的信号,每种方法都有不同的属性,会影响项目成本、电路板尺寸和时钟信号的稳定性。振荡器主要可以分成两种:谐波振荡器(harmonic oscillator)与弛张振荡器(relaxation oscillator)。

振荡器分类:
RC 振荡器
RC 振荡器由电阻器、电容器和反相放大器构成。与晶体振荡器相比,它们成本低且启动时间短,但通常精度较低且产生更多噪声。

LC振荡器
LC振荡器电路主要用来产生高频正弦信号,一般在1MHz以上。它与RC振荡电路的不同之处在于它由电感和电容组成。所以命名为LC振荡器

晶体振荡器
晶体振荡器利用晶体的机械振动来产生时钟信号。 归功于晶体物质的分子组成和晶体切割的角度,这种类型的振荡器在很宽的温度范围内非常精确和稳定。 最常用的晶体是石英晶体。 生产石英晶体需要几周内非常稳定的温度和压力条件。 这使得晶体振荡器比 RC 振荡器更昂贵。(晶振分无源晶振和有源晶振两种类型。无源晶振也叫谐振器,英文为crystal,有源晶振又叫振荡器,英文oscillator。一般的单片机使用的是无源晶振)

振荡器的基本原理: 在这里插入图片描述
振荡器是一个满足巴克豪森条件(Barkhausen condition)的正反馈回路:如果闭环增益大于整体并且总相位滞后为 360°,则生成的闭环系统不稳定并会自我强化。这是出现振荡的必要条件,但不是充分条件。当满足必要条件时,振荡器中的任何干扰(噪声)都会导致振荡开始。因为满足巴克豪森条件的频率与原始信号同相,所以它被放大得最多。

初始振荡非常微弱,将信号放大到所需幅度需要时间。当振荡建立时,只需要少量的能量来补偿电路中的损耗。在数学上,维持稳态振荡需要的闭环增益为1。芯科Gecko 2无线系列芯片依靠自动增益控制器获得和保持所需的幅度。

简化的反馈振荡器电路由两部分组成:放大级和让频率经历360° 相位滞后的滤波器。在晶体振荡器的情况下,滤波器由晶体和外部负载电容器组成。

启动时间:
闭环增益的大小对启动时间有很大影响。 增益低会导致启动时间过长或失败,增益过高会导致启动完全失败。 理想增益取决于振荡器电路的负电阻。
出于同样的原因,振荡频率会影响启动时间。 kHz范围内的晶体的启动时间将比MHz范围的晶体长得多,因为传递循环所需的时间更长。 芯科无线Gecko 2系列芯片的典型启动时间:低频振荡器为 63 ms,高频振荡器为 159 μs。

晶体的电路模型:
晶体振荡器可以用下面的理想电路模型来描述
在这里插入图片描述

  • CS 是运动电容。 它表示从晶体中的位移中获得的压电电荷。
  • RS 是运动电阻。 它代表晶体中的机械损耗。
  • LS 是运动电感。 它代表晶体中的移动质量。
  • C0 是电极之间的静态电容和来自外壳的杂散电容。

晶体振荡器的参数:

  • 晶振的核心频率(Crystal Frequency)。

  • 晶振的工作温度(Operating Temperature Range)

  • 晶振的综合公差(Combined tolerance for the crystal):
    即晶振的精度值,一般使用PPM表示。其精度的选择一般要参考频率需求器件对精度的要求。综合公差=初始公差(Initial tolerances) + 温度公差(Temperature tolerance) + 年化公差(Aging tolerances)

  • 晶振的等效串联阻抗(Equivalent Series Resistance (ESR)):
    这个参数主要是与驱动能力有关系,也就是说跟驱动电流有关系。等效电阻小则需要的驱动电流就小。对外部驱动电路的适应能力就越高。

  • 晶振的匹配负载电容(Load capacitance):
    通过改变匹配电容的参数值,可以改变晶振的核心频率,也就是说可以通过调整晶振的匹配电容来对精度做微调。这也是目前国内做高精度温补晶振的主要办法。

  • 静态电容(Shunt Capacitance):
    晶振两个管脚之间的寄生电容,在晶振的规格书上可以找到具体值,一般0.2pF~8pF不等。

晶体规格书参考:
在这里插入图片描述
术语解释:

  • 压电效应(Piezoelectricity)
    石英晶体具有直接压电特性。 这意味着施加的电场会导致晶体变形。 相反,晶体的变形会在端子上产生电压。 一旦振荡器启动,振动晶体端子上的变化电压被用作时钟信号。

  • 压电谐振:
    在晶片的两个极上加一电场,会使晶体产生机械变形;在石英晶片上加上交变电压,晶体就会产生机械振动,同时机械变形振动又会产生交变电场,虽然这种交变电场的电压极其微弱,但其振动频率是十分稳定的。当外加交变电压的频率与晶片的固有频率(由晶片的尺寸和形状决定)相等时,机械振动的幅度将急剧增加,这种现象称为“压电谐振”。

  • 闭环增益(closed-loop gain):
    运放在无反馈时的增益是开环增益,在考虑反馈时候的增益为闭环增益,环路增益是在主输入为0的情况下,反馈网络和放大电路所具有的增益。

  • 寄生电容(parasitic capacitance):
    也称为杂散电容,是电路中电子元件之间或电路模块之间,由于相互靠近所形成的电容,寄生电容是寄生元件,是不可避免的,同时经常是设计时不希望得到的电容特性。寄生电容常常也会造成杂散振荡。

  • 机械应力(mechanical stress):
    是指物体由于外因(受力、湿度变化等)而变形时,在物体内各部分之间产生相互作用的内力,以抵抗这种外因的作用,并力图使物体从变形后的位置回复到变形前的位置。

参考资料:
Silicon labs : AN0016.2: Oscillator DesignConsiderations

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