IGBT模型
每个Diode芯片功耗为33.425W,每个IGBT芯片功耗为99.05W,顶层硅胶导热系数为0.15W/m×K,冷却液温度为常温水(25℃),进口速度为1m/s。
IGBT模组温度云图(隐藏上层硅胶)
Icepak | ![]() |
FloTHERM | ![]() |
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IGBT模组温度云图
Icepak | ![]() |
FloTHERM | ![]() |
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冷板截面温度云图
Icepak | ![]() |
FloTHERM | ![]() |
Error=(32.3-31.3552)/31.3552=3.01%
冷板截面速度矢量图
Icepak | ![]() |
FloTHERM | ![]() |
Error=(1.4823-1.37)/1.37=8.2%