计算机组成原理-储存器-03

3.1-3.2

主存简单模型和寻址概念

主存

主存构成：

• 存储体
• 地址寄存器（MAR）
• 数据寄存器（MDR）
  
  主存外部接口：

1. 地址线：n位地址（对应MAR位数）——>2ⁿ 个储存单元（存储体的行数）
2. 数据线：数据线的根数对应MDR的长度，（存储体的列数）
3. 片选线：开关的作用（高电平有效，低电平有效）
4. 读写控制线

主存的描述：

• 总容量 = 存储单元个数 X 存储字长
• 常见的描述：8K X 8位，即 2¹³ X 8 bit

寻址

一个储存体 1 kb

• 按字节寻址：1K个单元，每个单元 1 B
• 按字寻址：：256个单元，每个单元 4 B
• 按半字寻址：512个单元，每个单元 2B
• 按双字寻址：128个单元，每个单元 8B
• 多字节存放：大端方式和小端方式

3.3

主存与CPU的连接

位扩展：

字扩展：

1. 线选法：用 n 条线，每一条线控制一块主存。

2. 译码片选法：
   

例题

3.4

双口RAM和多模块储存器

存取周期： 存取时间+恢复时间。
所以存取周期会比存取时间长。
双端口的RAM： 两个端口对同一组主存操作。

1. 普通的存储器：每行一个存储单元。
2. 单体多字存储器： 每个储存单元储存 m 个字，总线宽度也为 m 个字，一行并行读取 m 个字。（指令和数据在主存内必须是连续存放的）
3. 多体并行储存器： 每个模块都有相同的容量和存取速度，每个模块都有独立的读写控制电路，他们既能并行工作，又能交叉工作。
   

3.5

局部性原理与性能分析

1. 空间局部性： 在最近的未来要使用的信息（指令和数据）很可能与现在正在使用的信息在储存空间上是邻近的
2. 时间局部性： 在最近的未来要用到的信息，很可能是现在正在使用的信息。

引入了Cache（高速缓存）

Cache（高速缓冲）-地址映射

分三种映射：

1. 全相联：主存字块标记 | 字块内地址
2. 直接映射：主存字块标记 | Cache字块地址 | 字块内地址
3. 组相联：主存字块标记 | 组地址 | 字块内地址
   

Cache（高速缓冲）-替换算法与写策略

3.6

虚拟存储器

定义：

1. 页式虚拟存储器：
   
2. 段式虚拟存储器：
   
3. 段页式虚拟存储器：

• 把程序按逻辑结构分段，每段再划分为固定大小的页
• 主存空间页划分为大小相等的页
• 每个程序对主存的调入调出仍以页为 基本传送单位
• 每个程序对应一个段表，每段对应一个页表
• 虚拟地址：段号+段内页号+页内地址

慢表（Page）：

页表、段表存放在主存中，收到虚拟地址后要先访问主存，查询页表、段表，进行虚实地址转换。放在主存中的页表称为慢表（Page）
块表（TLB）：
提高变换速度—> 用高速缓冲储存器存放常用的页表项—>块表（TLB）

虚拟地址访问过程：

3.7

半导体存储器RAM

特点： 以电信号的形式存储0/1，断电就丢失信息，易失性存储器。

1. SRAM： （静态随机存储器）----常用来做Cache

• 储存信息：触发器（双稳态）
• 非破坏性读出（读：查看触发器状态，写：改变触发器状态）
• 不需要刷新
• 行列地址同时送，地址长度不同
• 运行速度块
• 集成度低（六个逻辑元件组成一个触发器）
• 结构复杂，所以发热高
• 成本高

2. DRAM：（动态随机存储器）----常用来做主存 SDRAM：同步动态随机存储器、

• 储存信息：电容（充放电）
• 破坏性读出（读：连接电容检测电流变化，写：给电容充放电）读完要充电
• 需要刷新
• 行列地址长度相同分两次送，地址线可以复用
• 运行速度满
• 集成度高（1-3个逻辑元件）
• 结构简单，所以发热比较低
• 成本低

DRAM的刷新：

• 由于是电容构成，在每2ms后电荷信号不会被检测，所以要刷新
• 每次刷新是以行为单位
• 采用行列地址可以减少选通线的数量。

SRAM的读写周期：
读写时间划分类似，都有一段恢复时间，这个时间是消除电流传输过程中的差距的。

半导体存储器ROM（只读存储器）

主存是由：RAM和ROM共同构成的

ROM特点： 掉电后信息不会丢失，但是读写速度比较慢。

存储器基本概念

存储器的分类：

按照材料分类：

1. 磁表面储存器：磁盘（定位到一个小区域，再顺序存取）、磁带（顺序存取）。
2. 磁芯片存储器：
3. 半导体存储器：RAM（易失性存储器）、ROM（存取时间与存储单元无关）
4. 光存储器

存储器的性能指标：

1. 存储容量：存储字数X字长（如 1 M X 8 位）
2. 单位成本：每位价格 = 总成本/总容量
3. 储存速度：数据传输率 = 数据的宽度/存储周期
   
   存储器的层次化结构：