MSP430第七章：FLASH

1. FLASH介绍

msp430的Flash是可字节（8bit）、字（16bit）、长字（32bit）寻址和编程的存储器。Flash储存模块由一个集成的控制器控制编程和擦除操作。该模块包含三个寄存器、一个时序发生器和一个提供编程和擦除电压的电压发生器组成。累积的高电压时间不能过长，在另一个擦出周期之前，32bit的字写入不能超过四次。
Flash有以下特点：

• 集成编程电压发生器
• 字节、字、长字编程
• 超低功耗操作
• 可进行段擦除、扇区擦除和全部擦出
• 边沿0和边沿1读模式
• 当程序不在待擦除的扇区执行时，扇区可以单独擦除

2. Flash段

Flash分为主存、信息部分和BSL存储器部分，可被字节（8bit）、字（16bit）、长字（32byte）、块（128byte）写入，但段是最小的擦除大小。数据段和代码段没有差别，然而段的大小根据不同区段有差异：

• 主存和BSL段是512bytes
• 信息储存段是128bytes

信息共有四段，从A到D，每一个段可单独擦除。BSL有四段，从A到D，每一个段可单独擦除。主存被分割成64KB的扇区，每个扇区又被分成512B的段。

2.1 Segment A
信息储存器的A段被LOCKA锁定，当LOCKA=1，段A不能读写，所有信息被保护；当LOCKA=0时，段A和其他段一样可被读写。
注意：当向LOCKA位写入1时，LOCKA位的状态将被切换。向LOCKA写入0不起作用。

	FCTL4 = FWKEY;//清除LOCKINFO位
	if(FCTL3 & (0X96+LOCKA))//如果LOCKA锁定
	{
		FCTL3 = FWKEY + LOCKA;//解锁
	}
	//A段已解锁
	if(~(FCTL3 & (0X96+LOCKA)))//如果LOCKA没有锁定
	{
		FCTL3 = FWKEY + LOCKA;//锁定
	}
	//A段已锁定

3. Flash 操作

Flash默认读模式，就像ROM一样不能写入和擦除，Flash时序发生器和电压生成器关闭。当一个扇区被擦除时，Flash允许在另外的扇区中执行程序，也可以从没有在执行擦除的扇区读数据。

闪存操作	程序在Flash中执行	程序在RAM中执行
扇区擦除	支持 执行的程序必须不在被擦除的段中	支持
段擦除	不支持	支持
写入	不支持	支持

Flash可以在不需要外部电压的情况下实现系统中编程。CPU能够对Flash进行编程。Flash通过BLKWRT,WRT, MERAS,ERASE位来选择写入/擦除模式：

• 字节、字、长字写入
• 块写入
• 段擦除
• 扇区擦除（针对主储存扇区）
• 主存擦除（所以主储存扇区）
• 当擦除扇区读（除了从当前的扇区读）

当Flash的扇区正在编程或擦除时，从该扇区读或者写是禁止的。对Flash的擦除或者编程开始于Flash或者RAM。
3.1 Flash的擦除
Flash擦除后的逻辑值为1，每一位都可以单独从1编程到0，但要从0编程到1需要擦除操作。通过配置ERASE和MERAS位选择三种擦除模式：

ERASE	MERAS	擦除模式
0	0	没有擦除操作
0	1	段擦除
1	0	由空写地址选择的扇区擦除（一个扇区）
1	1	主存擦除（使用的储存扇区，不包括信息储存区A-D和BSL扇区的A-D）

擦除周期
擦除周期开始于对要擦除段的地址范围的空写，也就是写0。BUSY位在空写之后立即置1，并在整个擦除周期中保持置1。BUSY、MERAS和ERASE在周期结束时自动清除。当清除控制位时，不应该进行额外的空写访问，否则，ACCVIFG将置1。全部擦除周期定时不依赖于设备上闪存的数量。所有设备的擦除周期是相等的。

擦除主内存
主存储器由一个或多个扇区组成。每个扇区可以单独被擦除(扇区擦除)。所有的主存都可以在大规模擦除模式下被擦除。
擦除信息段或BSL闪存段
信息存储区A到D段和BSLA到D段只能在段擦除模式下进行擦除。它们不会在扇区清除或大规模清除过程中被清除。擦除首先清除LOCKINFO位。
从Flash中擦除
擦除周期可以从闪存中启动。在扇区擦除过程中，代码可以从闪存或RAM中执行，但执行的代码不能放在要擦除的扇区中。
擦除程序流程图：

C语言示例：

void erase_from_flash(unsigned int *atr)
{
	unsigned int *ptr = (unsigned int *)atr;
	_DINT();                //写入过程不允许中断，否则结果无法预料
	while(FCTL3&BUSY);     //忙碌等待
	FCTL3 = FWKEY;         //清除LOCK
	FCTL1 = FWKEY + ERASE; //单段擦除
	*ptr = 0;              //空写擦除
	while(FCTL3 & BUSY);   //忙碌等待
	FCTL1 = FWKEY;         //清除ERASE   
	FCTL3 = FWKEY + LOCK;  //置位LOCK，保护数据
	_EINI();
}

从RAM中Erase
擦除周期可以从RAM开始。在这种情况下，CPU没有被占用，可以继续执行来自RAM的代码。BUSY位用来确定擦除周期是否结束。当Flash繁忙时，启动一个擦除周期或一个编程周期会导致访问冲突，ACCIFG被设置为1，擦除操作的结果是不可预测的。
3.2 FLASH写入

BLKWRT	WRT	写入模式
0	1	Byte or word写入
1	0	Long-word写入
1	1	Long-word block写入

写模式使用一系列单独的写指令。使用长字写模式的速度大约是字节或字模式的两倍，使用长字块写模式大约比字节或字模式快四倍，因为在完整的字块写时电压发生器保持开着，而且长字是并行写的。在字节或字写模式、长字写模式或块长字写模式下，任何修改目地址的指令都可以用在flash。
BUSY位在写操作处于活动状态时置1，并在操作完成时清除。如果写操作是从RAM开始的，CPU不能在BUSY置1时访问flash。否则，会发生访问冲突，ACCVIFG将会置1，导致flash写入不可预知。
字节或字写入
字节或字的写操作可以从Flash或RAM中开始。当从Flash中初始化时，直到写入完成CPU被挂起。写操作完成后，CPU继续执行写访问之后的指令。字节、字和长字的写定时如图所示。字节、字和长字的写时序相同。

当从RAM执行一个字节或字的写操作时，CPU继续从RAM执行代码。在CPU再次访问flash之前，BUSY位必须为零，否则会发生访问冲突，ACCVIFG置1，写结果不可预知。
在任何写模式下，内部产生的编程电压应用于完整的128字节块。对于任何块，都不能超过累积编程时间(tCPT)。每一个字节、字或长字的写都累积程序时间。如果达到或超过程序的最大累积时间，段数据将返回不可预测的结果，需要在进一步使用之前擦除。具体规格请参见设备专用数据表。
从Flash字节或字写入

//Byte or word write from flash.
//假定 0x0FF1E 已被擦除
//假定 ACCVIE = NMIIE = OFIE = 0.
void byte_write_flash(unsigned int adr,unsigned char date)
{
unsigned int *ptr = (unsigned int *)atr;
WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD;//关闭看门狗
FCTL3 = FWKEY;           //清除LOCK
FCTL1 = FWKEY + WRT;     //字/字节写入
*ptr = date;             //写入数据
FCTL1 =  FWKEY;          //清除写入模式
FCTL3 = FWKEY + LOCK;    //上锁
}

从RAM字节或字写入

//Byte or word write from RAM.
//假定 0x0FF1E is already erased
//假定 ACCVIE = NMIIE = OFIE = 0.
void byte_write_ram(unsigned int adr,unsigned char date)
{
unsigned int *ptr = (unsigned int *)atr;
WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD;//关闭看门狗
while(FCTL3&BUSY);       //忙碌等待
FCTL3 = FWKEY;           //清除LOCK
FCTL1 = FWKEY + WRT;     //字/字节写入
*ptr = date;             //写入数据
while(FCTL3&BUSY);       //忙碌等待
FCTL1 =  FWKEY;          //清除写入模式
FCTL3 = FWKEY + LOCK;    //上锁
}

Long-Word写入
长字写操作可以从Flash或RAM中开始。32位写入flash控制器后，并且开始编程周期，BUSY位被置1。当从闪存中初始化时，直到写完成时CPU被挂起。写操作完成后，CPU继续执行写访问之后的指令。长字由四个连续的字节组成，与32位的地址对齐(只有较低的两个地址位不同)。字节可以以任何顺序或字节和字的任何组合写入。如果一个字节或字被多次写入，那么最后一次写入的数据将被存储到flash存储器中。
如果在所有四个字节都可用之前，对32位地址之外的闪存地址进行写操作，则到目前为止所写的数据将被丢弃，最新写的字节或字将定义新的32位对齐的地址。
当32位可用时，执行写周期。当从RAM执行时，CPU继续执行代码。CPU再次访问flash之前，BUSY位必须为零，否则会发生访问冲突，ACCVIFG置1，写结果不可预知。
在长字写模式中，内部生成的编程电压应用于一个完整的128字节块。对于任何块，都不能超过累积编程时间(tCPT)。每次写入都增加一个段的累积程序时间。如果达到或超过了程序的最大累积时间，则必须删除该段。进一步的编程或使用数据将返回不可预测的结果。
从Flash长字写入

//Long-word write from flash.
//假定 0x0FF1C and 0x0FF1E已被擦除
//假定 ACCVIE = NMIIE = OFIE = 0.
void long_write_flash(unsigned int adr,long date)
{
unsigned int *ptr = (unsigned int *)atr;
WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD;//关闭看门狗
FCTL3 = FWKEY;           //清除LOCK
FCTL1 = FWKEY + BLKWRT;  //长字写入
*ptr = date;             //写入数据
FCTL1 =  FWKEY;          //清除写入模式
FCTL3 = FWKEY + LOCK;    //上锁
}

从RAM长字写入

//Two 16-bit word writes from RAM.
//假定 0x0FF1C and 0x0FF1E已被擦除
//假定 ACCVIE = NMIIE = OFIE = 0.
void byte_write_ram(unsigned int adr,long date)
{
unsigned int *ptr = (unsigned int *)atr;
WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD;//关闭看门狗
while(FCTL3&BUSY);       //忙碌等待
FCTL3 = FWKEY;           //清除LOCK
FCTL1 = FWKEY + BLKWRT;  //长字写入
*ptr = date;             //写入数据
while(FCTL3&BUSY);       //忙碌等待
FCTL1 =  FWKEY;          //清除写入模式
FCTL3 = FWKEY + LOCK;    //上锁
}

块写入
当需要编写许多顺序字节或字时，可以使用块写来加速闪存写进程。闪存编程电压保持在写128字节块的持续时间。在块写入期间，不能超过任何块的累积编程时间(tCPT)。使用块写模式，只能写长字。
块写入不能从闪存中开始，必须从RAM开始。在块写的整个过程中，BUSY位始终保持置1。在向块写入四个字节或两个字之间必须检查WAIT位。设置WAIT后，就可以写入该块的四个字节或两个16位字。当写连续块时，必须在当前块完成后清除BLKWRT位。在tEND给出的闪存恢复时间之后，可以设置BLKWRT来启动下一个块写。BUSY在每个块写合并后被清除。

//Write one block starting at 0F000h.
//必须从RAM启动, 假定Flash已被擦除
//假定 ACCVIE = NMIIE = OFIE = 0.
void block_write_ram(unsigned int adr,long *date，unsigned n)
{
unsined i = 0;
unsigned int *ptr = (unsigned int *)atr;
WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD;//关闭看门狗
while(FCTL3&BUSY);       //忙碌等待
FCTL3 = FWKEY;           //清除LOCK
FCTL1 = FWKEY + BLKWRT + WRT;  //块写入
for(i=0;i<=n;i++)
{
	while(FCTL3&WAIR);       //等待写入完成
	*ptr = date[i];             //写入数据
}
while(FCTL3&BUSY);       //忙碌等待
FCTL1 =  FWKEY;          //清除写入模式
FCTL3 = FWKEY + LOCK;    //上锁
}