二极管
二极管实际上就是一个PN结。
空间电荷区也称PN 结、耗尽层、阻挡层。
P型(positive)半导体,空穴为多数载流子
N型(negative)半导体,电子为多数载流子
PN结中电子和空穴复合,使P型空穴减少带负电,N型电子减少带正电,形成从N指向P的内电场。
1.导通(正偏)
即外加电场与内电场方向相反,低消内电场作用,使空间电荷区变窄,PN结处于导通状态。
2.截止(反偏)
即外加电场与内电场方向相同,增强内电场作用,使空间电荷区变宽,PN结处于截止状态。
三极管的工作状态
由于TTL反相器中只涉及NPN型三极管,故只介绍NPN型三级管的工作状态
三极管实际是由俩个PN结组成
正常工作在线性放大区时的电流走向:
此时有
I
C
=
β
I
B
{{I}_{C}}=\beta {{I}_{B}}
IC=βIB,
β
\beta
β为电流放大倍数,为已知参数,一般为10~100。
I
E
=
I
C
+
I
B
≈
I
C
{I}_{E}={I}_{C}+ {I}_{B}\approx{I}_{C}
IE=IC+IB≈IC
工作状态 | BE结 | BC结 | I C {{I}_{C}} IC与 I B {{I}_{B}} IB的关系 |
---|---|---|---|
截止 | 反偏 | 反偏 | I B = 0 I_B=0 IB=0, I C ≈ 0 I_C\approx0 IC≈0 |
饱和 | 正偏 | 正偏 | β I B > I C \beta {{I}_{B}}> {{I}_{C}} βIB>IC |
线性 | 正偏 | 反偏 | I C = β I B {{I}_{C}}=\beta {{I}_{B}} IC=βIB |
倒置 | 反偏 | 正偏 | 无应用,不考虑 |
1.截止
条件:BE、BC结均反偏
即: V B E < V t h V_{BE}<V_{th} VBE<Vth 且 V C ≥ V B V_{C}\ge V_{B} VC≥VB
则有 I B = 0 I_B=0 IB=0, I C ≈ 0 I_C\approx0 IC≈0
2.饱和
条件:BE结正偏,BC结正偏
即: V B E > V t h V_{BE}>V_{th} VBE>Vth 且 V B ≥ V C V_{B}\ge V_{C} VB≥VC
则有 β I B > I C \beta {{I}_{B}}> {{I}_{C}} βIB>IC
三极管的饱和压降固定为 V C E S {V}_{CES} VCES
I C = E C − V C E S R C ≈ E C R C {{I}_{C}}=\frac{{{E}_{C}}-{{V}_{CES}}}{{{R}_{C}}}\approx \frac{{{E}_{C}}}{{{R}_{C}}} IC=RCEC−VCES≈RCEC
深度饱和时, β I B ≫ I C \beta {{I}_{B}}\gg {{I}_{C}} βIB≫IC
硅管 V C E S ≈ 0.3 V {{V}_{CES}}\approx 0.3V VCES≈0.3V
锗管 V C E S ≈ 0.1 V {{V}_{CES}}\approx 0.1V VCES≈0.1V
3.线性放大
条件:BE结正偏,BC结反偏
即: V B E > V t h V_{BE}>V_{th} VBE>Vth 且 V B ≤ V C V_{B}\le V_{C} VB≤VC
则有 I C = β I B {{I}_{C}}=\beta {{I}_{B}} IC=βIB
TTL反相器
1.AB段
从A点, V I > 0 V_I>0 VI>0 开始分析
由 T 1 T_1 T1 深度饱和, V C 1 = V I + V C E ( s a t ) V_{C1}=V_I+V_{CE(sat)} VC1=VI+VCE(sat)
所以 T 2 T_2 T2 截止(因为 V B 2 = V I + V C E ( s a t ) < V b e V_{B2}=V_I+V_{CE(sat)}<V_{be} VB2=VI+VCE(sat)<Vbe),即 V I + V C E ( s a t ) < V b e V_I+V_{CE(sat)}<V_{be} VI+VCE(sat)<Vbe, V I < V b e − V C E ( s a t ) V_I<V_{be}-V_{CE(sat)} VI<Vbe−VCE(sat),故在B点 V I = V b e − V C E ( s a t ) V_I=V_{be}-V_{CE(sat)} VI=Vbe−VCE(sat)
T 4 T_4 T4 导通且 T 5 T_5 T5 截止,因为 T 2 T_2 T2 截止,所以 V O = V C C − V b e − V D 2 V_O=V_{CC}-V_{be}-V_{D2} VO=VCC−Vbe−VD2
2.BC段
从B点, V I > V b e − V C E ( s a t ) V_I>V_{be}-V_{CE(sat)} VI>Vbe−VCE(sat) 开始分析
T 1 T_1 T1 深度饱和, V B 1 = V I + V b e V_{B1}=V_I+V_{be} VB1=VI+Vbe, V C 1 = V I + V C E ( s a t ) V_{C1}=V_I+V_{CE(sat)} VC1=VI+VCE(sat)
所以 V B 2 = V C 1 > V b e V_{B2}=V_{C1}>V_{be} VB2=VC1>Vbe,即 T 2 T_2 T2 导通且工作在线性放大状态,所以 V E 2 = V B 2 − V b e V_{E2}=V_{B2}-V_{be} VE2=VB2−Vbe,那么 I C 2 ≈ I E 2 = V E 2 R 3 I_{C2}\approx I_{E2}=\frac {V_{E2}}{R_3} IC2≈IE2=R3VE2,则 R 2 R_2 R2 两端电压降为 V C C − V B 4 = I C 2 R 2 V_{CC}-V_{B4}=I_{C2}R_2 VCC−VB4=IC2R2,故 V B 4 = V C C − I C 2 R 2 V_{B4}=V_{CC}-I_{C2}R_2 VB4=VCC−IC2R2, V O = V B 4 − V b e − V D 2 = V C C − V I + V C E ( s a t ) − V b e R 3 R 2 − V b e − V D 2 V_O=V_{B4}-V_{be}-V_{D2}=V_{CC}-\frac{{{V}_{I}}+{{V}_{CE(sat)}}-{{V}_{be}}}{{{R}_{3}}}{{R}_{2}}-{{V}_{be}}-{{V}_{D2}} VO=VB4−Vbe−VD2=VCC−R3VI+VCE(sat)−VbeR2−Vbe−VD2,即 V O V_O VO 与 V I V_I VI 为线性关系
T 4 T_4 T4 导通且 T 5 T_5 T5 截止, V O = V E 2 = V I + V C E ( s a t ) − V b e < V b e V_{O}=V_{E2}=V_I+V_{CE(sat)}-V_{be}<V_{be} VO=VE2=VI+VCE(sat)−Vbe<Vbe V B 5 = V E 2 = V I + V C E ( s a t ) − V b e < V b e V_{B5}=V_{E2}=V_I+V_{CE(sat)}-V_{be}<V_{be} VB5=VE2=VI+VCE(sat)−Vbe<Vbe,即在C点 V I = 2 V b e − V C E ( s a t ) V_I=2V_{be}-V_{CE(sat)} VI=2Vbe−VCE(sat)
3.CD段
CD段为 T 5 T_5 T5 从截止转变到导通, T 2 T_2 T2 达到饱和, V C 2 = V E 2 + V C E ( s a t ) V_{C2}=V_{E2}+V_{CE(sat)} VC2=VE2+VCE(sat)
V B 4 = V C 2 < V b e + V D 2 V_{B4}=V_{C2}<V_{be}+V_{D2} VB4=VC2<Vbe+VD2, T 4 T_4 T4 截止。
对 T 5 T_5 T5,BE结正偏,BC结正偏,工作在饱和状态,由于 V E 5 = 0 V_{E5}=0 VE5=0,所以 V O = V C E ( s a t ) V_O=V_{CE(sat)} VO=VCE(sat)