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RSS订阅原创 带隙基准Bandgap Reference, BGR仿真
因为PTAT的能力较弱，在与CTAT合并时总电流看起来仍然显示为CTAT，所以需要对PTAT, CTAT进行加权处理。这篇主要记录一下仿真带隙基准的过程，全篇根据B站上一个印度老师进行一步步分析和仿真。不管带隙基准中是电流镜结构还是理想运放结构，都是为了使两点电压相同(vd, v2)下面电路是模拟上电的过程，通过对比体现启动电路的重要性。二、CTAT理论分析及仿真结果。
2026-03-04 15:15:47
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原创 CMOS施密特触发器(Schmitt Trigger)仿真
首先是电路的结构，经典Schmitt Trigger有6颗晶体管，晶体管的尺寸还没有设置，均是默认值，后续应该要调整，其中最右边的P管和N管的尺寸对应着迟滞窗口的大小，迟滞窗口实质上就是翻转电压，负翻转电压与正反转电压不同，这是Schmitt Trigger与反相器的区别之一。按照这个circuit design中给仿真中需要看region的晶体管进行编号，这样可以对晶体管的工作状态更加清晰。在testbench重vpulse设置的是一个三角波，应该也可以用正弦波的，可以尝试下。电源电压设置为5V。
2026-01-08 15:43:56
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原创 gmoverid, pmos sweep
7. 在选择W的尺寸时，首先仿真了W=10u情况下的两个图像，再仿真W=1u的两个图像，可以看出两种W值对gmoverid id/w的关系和gmoverid gm*ro的关系影响不大。下图是两个W值的对比。3. 添加可变量和DC仿真。这篇用来记录简单了解gmoverid的设计方法后扫描pmos管，得出两种曲线图的仿真步骤。1. 首先搭建扫描pmos的电路图，将电压，pmos的L, W, mul都设置成可变量。8. pmos中使用的是电流is，nmos中将使用电流id。下图是nmos扫描简单步骤。
2025-11-24 10:41:19
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原创 带电流源负载的共源放大器仿真与增益分析
换一种结构，把电路图中的vin的vdc删除了，vin和vb都从ADE中的stimuli给激励，vb还是2V，因为瞬态仿真，所以vin加sin，sin中心为737mV，幅值为1uV，频率为1MHz。漏极电流增大时，放大管M1跨导gm1也会增大，增长关系是平方根，电流是原来的4倍，gm变为原来的2倍。而同时两个管子的ro1和ro2都会减小，电流是原来的2倍，ro1和ro2减小为原来的1/2。扫描时看vout为vdd/2时vin的值，用此时的vin值作为静态工作点的vin电压，737mV。
2025-10-23 19:47:34
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空空如也
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