《超导电子技术及其应用》学习日志（一）

约瑟夫森效应

单电子隧道效应

最关键的理论：由BCS理论，T=0K时，导带电子从导带底依次填充各量子态，E_F即是电子填充的最高能级，E<E_F的所有本征态完全填满，而E>E_F都是空态。当T非0K时，费米能级E_F以下的部分电子被激发而占据费米能级以上的能级，同时费米能级以下出现空态。

BCS理论对于超导能隙的解释：要将库柏对转化成电子，至少需要一份等于库柏对结合能的能量，而在能级上对应的这个能量区间内，并无超导体内部并无自由电子，所以这个能量间隔满足T不等于0K但是也没有自由电子，所以被命名为超导间隙。（为什么超导间隙是两个δ？）

正常金属隧道效应

实验表明，当结的偏置电压较小时，隧道电流I与结电压V呈线性关系
I=σ_NV=1/R_N*V
式中，R_N称作N-I-N隧道结的正常电阻。

超导体和正常金属间的隧道效应

（1）当T=0K时，两边的电压为δ/e时，金属的电子会微弱地穿过间隙，当电压继续增大时，电压的微小变化也会让电流迅速增大。
（2）当0K<T<T_c时，只要有电压施加就会出现电流，但是当电压大于δ/e时，电流会迅速增大。原因在于左侧金属的电子被激发占据了费米能级以上的能级，进而占据超导体上面的空穴。而到达临界电压后，费米能级以下的电子隧穿至与其能量对应的右侧超导体能隙上边缘的空穴。

超导体单电子隧道

相同能隙：
（1）根据BCS理论，T=0K时，两侧导体中电子能级都在能隙以下，在热平衡时没有电流产生。当施加的电压小于2δ/e时，左侧能隙下方电子到右侧没有可占据的空穴，无电流产生。当V=2δ/e时，左侧能隙下方电子在右侧能隙上方获得可占据的空穴，所以电流突然增大。
（2）当0<T<T_c时，随着温度的增加，曲线弯曲程度逐渐平缓，S-I-S结已经逐渐转变为N-I-N结，隧道的I-V特性变为一条斜线。

不同能隙：
（1）对于S₁-I-S₂结，假定其能隙分别为2δ₁和2δ₂，当T=0K时，分析方法一致，只有当V>=(δ₁+δ₂)/e时，才开始产生隧道电流。
（2）对于不同的温度，可以分别对照S-I-S结，N-I-S结和N-I-N结的情况进行分析。