本文介绍了二极管的结构与导电特性，包括PN结的单向导电性及其在静电保护中的应用。接着讨论了二极管反向偏置时的漏电流与温度的关系，以及半导体器件工作温度的限制。此外，还探讨了MOS晶体管的体效应（背栅效应）和沟道长度调制效应，以及亚阈值效应，深入理解这些基础概念对于集成电路设计至关重要。
一、二极管的结构
PN结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。由于PN结（或二极管）具有单向导电性，所以可以实现整流、电压箝位等功能，在集成电路版图设计中二极管多用于静电保护，避免静电放电对芯片内部的损坏。
二、二极管的导电特性
流过正偏二极管的电流与所加电压呈指数关系。对于室温下的硅PN结，电压大约为0.6伏就可充分的正向导通，由于扩散是由载流子的热运动引起的，所以温度的升高会引起扩散电流的增加。实际上，通过PN结的正向电流随着温度的上升呈指数增加。
二极管反偏时的小电流称为反向导电流或漏电流。漏电流是耗尽区中热生成的少量少子产生的，反偏结内电场阻碍多子的运动，但却有助于少子流动。施加反向偏压会把这些少子扫过结区，因为在体硅中，弱到中等强度的电场对少子的产生速率几乎没有影响，所以漏电流基本不随反向偏压的变化而变化。热产生随着温度上升而增加，所以漏电流与温度相关，在硅中，温度大约每升高8摄氏度，漏电流就增加一倍。在高温下，漏电流开始趋近于电路的工作电流，因此半导体器件的最高工作温度受到漏电流的限制。对于硅集成电路来说，普遍接受的最高结温度是150摄氏度。
三、体效应(背栅效应）
在很多情况下，源极和衬底的电位并不相同。对NMOS管
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