【嵌入式】STM32基于片内flash进行数据读取和音频播放

（一）片内FLASH的认识

不同型号的 STM32，其 FLASH 容量也有所不同，最小的只有 16K 字节，最大的则达到了 1024K 字节。市面上 STM32F1 开发板使用的芯片是 STM32F103系列，其 FLASH 容量一般为 512K 字节，属于大容量芯片。大容量产品的 Flash 模块组织结构如图 所示：

STM32F1 的闪存（Flash）模块由：主存储器、信息块和闪存存储器接口寄存器等 3 部分组成。下面我们就来介绍下这些组成部分：
①主存储器。该部分用来存放代码和数据常数（如 const 类型的数据）。对于大容量产品，其被划分为 256 页，每页 2K 字节。注意，小容量和中容量产品则每页只有 1K 字节。从上图可以看出主存储器的起始地址就是0X08000000， BOOT0、BOOT1 都接 GND 的时候，就是从 0X08000000 开始运行代码的。
②信息块。该部分分为 2 个小部分，其中启动程序代码，是用来存储 ST 自带的启动程序，用于串口下载代码，当 BOOT0 接 V3.3， BOOT1 接 GND 的时候，运行的就是这部分代码。用户选择字节，则一般用于配置写保护、读保护等功能，这里我们不做介绍，大家可以百度了解。
③闪存存储器接口寄存器。该部分用于控制闪存读写等，是整个闪存模块的控制机构。对主存储器和信息块的写入由内嵌的闪存编程/擦除控制器(FPEC)管理；编程与擦除的高电压由内部产生。
在执行闪存写操作时，任何对闪存的读操作都会锁住总线，在写操作完成后读操作才能正确地进行；既在进行写或擦除操作时，不能进行代码或数据的读取操作。

（二） 如何对闪存进行读取、编程和擦除

STM32F1 可通过内部的 I-Code 指令总线或 D-Code 数据总线访问内置闪存模块，本章我们主要讲解数据读写，即通过 D-Code 数据总线来访问内部闪存模块。为了准确读取 Flash 数据，必须根据 CPU 时钟 (HCLK) 频率和器件电源电压在 Flash 存取控制寄存器 (FLASH_ACR)中正确地设置等待周期数(LATENCY)。当电源电压低于 2.1V 时，必须关闭预取缓冲器。 Flash 等待周期与 CPU 时钟频率之间的对应关系，如图 所示：

闪存的编程顺序如下

STM32 的闪存擦除分为两种：页擦除和整片擦除。页擦除过程如下所示：

（三）基于flash的数据提取

项目创建

打开STM32CubeMX创建工程

选择芯片，本次实验我选择的是STM32F103C8T6

引脚配置

RCC设置

SYS设置

NVIC设置，中断配置（保持默认）

时钟树设置

工程设置
设置堆栈的大小，

导出代码,并将先准备好的flash.c 及flash.h加入到工程中


打开keil添加成功

打开main.c加入下列代码


编译成功

电路连接

连接ST-link

Debug设置

调试

点击下载把程序下载到板子上：

（四）基于flash的提示音播放

新建音频文件

插入正弦波

另存为wab文件

生成wav文件之后，用UltraEdit将其打开，Ctrl+A选择全部然后右键点击选择选择范围


复制到notepad++里打开

直接用DAC生成正弦波的工程
然后将生成得到的数据粘贴进入数组即可（记得修改数组大小）

数据粘贴后编译

烧录，可以采用示波器观察

（五）实验心得

由于时间紧任务重，只能先做到这里了，以后可能会补充。

（六）参考链接

https://blog.csdn.net/zhanglifu3601881/article/details/96632971
https://blog.csdn.net/lushoumin/article/details/87694389

UltraEdit软件破解版：
https://pan.baidu.com/s/1K1yGM9SxsfopXxs3DAttzg
下载密码: 5p5v
工程下载链接：
链接：https://pan.baidu.com/s/15SqVhOrC54GLS7Yoyvk1EA
提取码：1234