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RSS订阅原创 优秀硬件电路设计：电源自动切换电路、防反接电路、太阳能充电电路
主要关注MOS管的第一个，和最后分享的那个几乎无压差电路；前面的两个电路，都是只能适用于Vbat 必须小于VUSB的情况，如果他们两个电压相等或者其他情况的时候，就无法适用了；现在光照停止了，我们不想超级电容过度的放电，因为电压降到负载需要的最低电压以下，负载电路已经不能正常工作了，但是超级电容其实连接着负载电路，还是会一直消耗电量。这个是在单片机等场景下直接适用电源转换芯片的介绍，关于需要注意的参数、推荐的信号；这是一个超低功耗物联网产品的太阳能充电电路；感觉PMOS防反接电路更多一点；
2025-11-02 17:08:45
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原创 电子元器件学习-三极管总结
P型和N型--一般Rb限流电阻越小，则饱和状态越深度，这个值选取可以看你整个设计的电阻那个阻值最多，比如你又很多10K的电阻，恰巧我们计算的Rb阻值<26K,则我们可以让Rb-10k；2.三极管应用：电子开关-图腾柱电路(推挽电路)：增强电路的电流驱动能力；及尚的基础里各个应用的三极管型号推荐。3.计算判断三极管是放大还是饱和状态；对三极管电子开关电路的详细设计教程；三级管几乎不会用做放大使用，因为运放电路更稳定，更好；
2025-11-01 10:29:50
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原创 电子元器件-接口电路篇：RS-232、RS485/422、I2C、SPI、USB、网口
以上规定说明了RS-232C 标准对逻辑电平的定义。对于数据（信息码）：逻辑“1”的传输的电平为-3V～-15V，逻辑“0”传输的电平为+3V～+15V；对于控制信号；接通状态（ON）即信号有效的电平为+3V～+15V，断开状态（OFF）即信号无效的电平为-3V～-15V，也就是当传输电平的绝对值大于3V 时，电路可以有效地检查出来；
2025-10-29 22:31:41
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原创 电子元器件学习-DC-DC篇：原理、拓扑结构、参数接收、手册解读、外围器件选型、Layout设计案例分析
线性稳压器，所谓线性稳压器，也就是我们俗话说的LDO传输元件工作在线性区，它没有开关的跳变；仅限于降压转换，很少会看到升压的应用。开关稳压器传输器件开关(场效应管)，在每个周期完全接通和完全切断的状态；里面至少包括一个电能储能的元件，如：电感器或者电容器；多种拓扑（降压、升压、降压-升压等）充电泵，一般在一些小电流的应用传输器件开关(如：场效应管、三极管)，有些完全导通，而有些则工作在线性区；在电能转换或者储能的过程中，仅限使用了电容器，如一些倍压电路。
2025-10-29 21:08:39
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原创 电子元器件学习-IDO篇：原理、参数手册解读、设计要点、具体案例分析
LDO（低压差线性稳压器）是一种关键电源管理器件，能够在输入电压波动时保持稳定输出。本文详细解析了LDO的分类（NPN/PNP/CMOS型）、工作原理（基于负反馈控制）以及关键性能参数：压差电压、线性/负载调整率、PSRR（电源抑制比）和瞬态响应等。重点探讨了设计要点：输入/输出电容的选择需兼顾ESR和ESL影响，假负载的必要性，以及功耗温升计算（Pd=(Vin-Vout)*Iout）。文章还介绍了降噪电容和前馈电容的优化作用，并强调需通过相位裕度评估系统稳定性。最后指出实际应用中需综合考量芯片手册参数、散
2025-10-29 20:02:40
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原创 电子元器件-逻辑器件篇：逻辑电平、CMOS逻辑、手册解读、逻辑电平转换，应用注意事项
常用的逻辑电平TTL、CMOS、LVTTL、LVCOMS、CML、ECL、PECL、LVPECL、LVDS、RS232电平RS422电平,RS485电平等。TTL和CMOS的逻辑电平按典型电压可分为四类:5V系列、3.3V系列，2.5V系列和1.8V系列。5V TTL和5V CMOS逻辑电平是通用的逻辑电平。3.3V及以下的逻辑电平被称为低电压逻辑电平，常用的为LVTTL电平低电压的逻辑电平还有2.5V和1.8V两种。
2025-10-29 19:38:18
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原创 STM32学习=SPI详解
STM32的SPI外设可用作通讯的主机及从机， 支持最高的SCK时钟频率为fpclk/2 (STM32F103型号的芯片默认fpclk1为36MHz， fpclk2为72MHz)，完全支持SPI协议的4种模式，数据帧长度可设置为8位或16位， 可设置数据MSB先行或LSB先行。它还支持双线全双工(前面小节说明的都是这种模式)、双线单向以及单线模式。其中双线单向模式可以同时使用MOSI及MISO数据线向一个方向传输数据，可以加快一倍的传输速度。而单线模式则可以减少硬件接线， 当然这样速率会受到影响。
2025-10-19 15:42:02
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原创 STM32学习：I2C通信协议详解、姿态传感器MPU6050实战
例如，MPU6050的地址可以通过ADO引脚来改变，而AT24C02的地址可以通过A0、A1、A2引脚来改变。这样，即使相同型号的芯片，挂载在同一个总线上，也可以通过切换地址低位的方式，保证每个设备的地址都是唯一的。这就是12C设备的从机地址。
2025-10-19 15:19:26
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原创 STM32项目实战/PID算法学习：编码电机闭环控制实现控速+位置控制、倒立摆实现
做小车就会用到PID算法，因为小车想要走直线就要保证两个轮子PWM输出的占空比一致，不一致小车就会走不直，可是你若只考虑输出相同的占空比，但是还会存在润滑油多少等外力因素，导致两个轮子速度肯定不一样，这时候为了保证速度相同就要使用PID算法；
2025-10-10 09:25:06
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原创 电子元器件-MOS管终篇中：MOS数据手册解读
中提到的，手册给的典型值是VGS=1.7V时，导通，但我们不能给1.7V，1.7V对应的RDS太大了，不适合我们做功率相关的设计；[但VGS不是越大越好，后文的栅极充电栅极图中，我们看到VGS越大，则对于的Gate charge(充电时间)就越长，这也不是我们想要的，因为VGS的值还是要多考虑考虑]但不同的VGS下，导通电阻RDS是不一样的；所以我们如果想要一个40A的漏极输出电流，必须同时关注VDS,VGS的值，通过设置合适的VDS,VGS，得到40A，你只关注一个，是不可能达到40A输出的。
2025-10-08 17:07:04
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原创 电子元器件-三极管终篇中：对三极管各状态参数详解、饱和状态参数设定、开关电路设计及注意事项
一、机械开关上图就是机械开关，机械开关就是控制回路导通和断开的，机械开关是靠触头的闭合和断开的动作来控制电路的导通和断开的，但是，在有些时候，机械开天是无法满足我们的而水的，比如我们后面会学习的开关电源:BUCK电源，BUCK电源的开关频率在65KHz，也就是回路中的开关每秒钟开关6.5万次，我们使用人的手指去拨动机械开关的话，是达不到这样的速度的。这个时候，就需要使用电子开关了，而电子开关是通过电流或者电压来控制电路的导通和关闭的，三极管就是一种电子式的开关。
2025-10-08 09:53:11
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原创 电子元器件篇-三级管、mos管篇中篇
电子工程师入门-03三极管详解（上）-CSDN博客详细讲解了三极管的放大工作流程；电子工程师入门-04三极管详解（中）_vbesat-CSDN博客寒武纪电子-三极管输入输出特性曲线讲解两者结合看，上文讲解三极管输入输出曲线并没有写怎么控制三极管工作在各个区，结合寒武纪电子的视频观看，这个视频讲解三极管输入输出曲线真的非常好；(39 封私信 / 60 条消息) 最好的三极管知识讲解（当年我的老师为啥不这样教？） - 知乎对三极管的电路电路，极各个放大电路的讲解；可以配合着尚知物理的运放课看看；
2025-10-07 12:04:06
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原创 STM32学习：keil仿真查看引脚波形，可以用来观察是代码出问题还是硬件出问题
根本原因是：map地址空间权限映射有问题。部分地址空间没有读写的权限，造成程序不能自动运行。xx为引脚号，比如：PORTA.4）然后按。Debug的设置，点击魔法棒进行配置。2.1点击调试进入调试页面。
2025-09-29 21:46:44
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原创 STM32学习-UART串口通信：串口通信协议&STM32-USART外设&数据帧/输入数据策略/波特率发生器&串口发送/接受实操
我们之前学习了串口的协议，串口主要就是靠收发这样的、约定好的波形来进行通信的，那这个USART外设，就是串口通信的硬件支持电路。这个同步模式，就是多了个时钟CLK的输出；硬件流控制，比如A设备的TX脚向B设备的RX脚发送数据，A设备一直在发，发的太快了，B处理不过来，如果没有硬件流控制，那B就只能抛弃新数据或者覆盖原数据了。如果有硬件流控制，在硬件电路上，会多出一根线，如果B没准备好接收，就置高电平，如果准备好了，就置低电平。
2025-09-24 18:11:07
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原创 电子元器件-MOS管终篇上：三级管原理、特点、参数电路及部分应用
MOS，是MOSFET的缩写。MOSFET 金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。记住 MOS管有 三个引脚名称：G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。
2025-09-22 16:32:56
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原创 电子元器件-三极管终篇上：数据手册分析，好文分享
在分析三极管的工作状态时，若设计IC电流为100mA，根据放大系数为100进行计算，基极电流IB应为1mA。所以在设计IC电流、放大系数值时，要考虑到VCE在我们的取值下是否在深度饱和状态，部分单片机把0.4V识别为高电平，那这样三极管就无法作为电子开关来使用了。：在实际应用中，需要查阅特定型号三极管的数据手册（Datasheet）来获取其 β 值的典型范围、测试条件以及随电流、温度变化的曲线图。输入与输出相比，振幅、电流都放大了，多余的能量从电源提供，三极管是不具备直接放大信号的本领的，他是控制器件。
2025-09-22 10:08:17
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原创 电子元器件-二级管终篇：基本原理，元件作用与应用场景、参数/数据手册详解，类型介绍/实战
导体：导体 conductor ，是指电阻率很小，且容易传导电流的物质。导体中存在大量可自由移动的带电粒子，也称为载流子。在外电场的作用下，载流子作定向运动，形成电流。金属就是最常见的导体，因为金属原子最外层的价电子很容易脱离原子核的束缚，形成自由电子。因为金属中自由电子的浓度很大，所以金属的电导率比其他材料要大。绝缘体相对于导体，不容易传导电流的物质称为绝缘体。绝缘体有时候也称为电介质。
2025-09-21 18:07:46
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原创 电子元器件-二级管中篇
制造设备时，若对漏电流敏感，特别是在二极管中，需注意数据手册中一般为常温下测得的参数(通常在25度下测量)，例如，规格中显示25度时，在60V或70V电压下，电流为12nA至20nA。因此，可以选择波动更小的型号，如5V时温度变化导致波动仅为1毫伏，这样的波动在温度变化一二十度时，也仅为一二十毫伏，是可以接受的。我们应用一般都是从平均电流/反向电压入手/应用，如果不要二级管击穿，一般会留有裕量/打折，降额到80%，考虑到峰值电压，噪声叠加到电压上面，出现极限的环境(25度测得的)。反向同理，击穿电压；
2025-08-21 09:49:47
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原创 电子元器件-电阻终篇：基本原理，电阻分类及特点，参数/手册详解，电阻作用及应用场景，电阻选型及实战案例
电阻是导体对电流阻碍作用的物理量，用"R"表示，单位为欧姆(Ω)。按用途可分为通用型、精密型、功率型等；按特性有热敏、压敏、光敏等特殊电阻。主要参数包括阻值、精度、温度系数、额定功率等，其中阻值遵循E24/E96标准系列。电阻在电路中具有分压、限流、阻抗匹配等作用，应用场景包括LED驱动、信号上下拉、高速电路匹配等。选型时需计算阻值和功率，考虑降额使用，并注意封装尺寸、老化系数等实际因素。0Ω电阻在单点接地、调试等方面有特殊用途。
2025-08-18 10:26:51
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原创 电子元器件-电容终篇：基本原理、参数解读、电路作用、分类及区别、应用场景、选型、降频及实战案例
本文全面介绍了电容的基本原理、分类、参数选型及实际应用场景。首先从电容的物理特性入手，阐述了电容的五大作用（降压、滤波、延时、耦合和旁路）及其工作原理。重点分析了电容的等效模型，包括ESR、ESL和Rleak等寄生参数的影响。针对不同类型的电容（钽电容、陶瓷电容、铝电解电容等）详细解读了各自的特点、参数手册及选型要点。文章还深入探讨了电容在耦合、去耦、滤波等电路中的应用原理，特别是电源滤波中多电容并联的设计思路。最后提供了电容降额使用的指导原则，为工程实践中的电容选型与应用提供了系统性的参考。
2025-08-18 10:13:12
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原创 电子元器件-电感终极篇-基本原理，元件作用与应用场景、参数/数据手册详解，选型及实战案例
电感基础与应用概述 电感是电子电路中重要的无源元件，其基本特性包括储存磁场能量、阻碍电流变化。电感量由线圈匝数、尺寸和磁芯材料决定，高频电路用小电感，低频用大电感。主要参数包括电感值、额定电流、直流电阻和自谐振频率。 电感在电路中有三大类应用：功率电感用于DCDC转换，需考虑饱和电流和温升电流；去耦电感用于EMC滤波，分差模和共模类型；高频电感用于射频电路，实现匹配、滤波功能。不同类型电感在结构工艺上各有特点：绕线电感电流大但体积大，多层片状电感成本低，薄膜电感精度高。 实际应用中需注意电感啸叫问题，可通过
2025-08-16 16:23:53
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原创 硬件设计---STM32最小系统板和开发板：原理图电路设计、PCB绘制讲解
程序下载电路包括：BOOT电路和程序下载接口【如果手头有STMf103C8T6的话，可以看一下boot电路，如图】出场一般boot1和boot0都是00位置，如图位置，相当于选择了SWD下载，就是使用了调试器，如图。一般来说就是指我们下好程序后，重启芯片时，SYSCLK 的第4个上升沿，BOOT 引脚的值将被锁存。用户可以通过设置 BOOT1 和 BOOT0 引脚的状态，来选择在复位后的启动模式。
2025-08-16 15:29:09
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原创 SMT32学习-DMA数据转运&存储器映像&DMA请求&数据宽度于对齐&数据转运+DMA实操&ADC扫描模式+DMA实操
注意一下：就是这里的Flash，它是ROM只读存储器的一种，如果通过总线直接访问的话，无论是CPU，还是DMA，都是只读的，只能读取数据，而不能写入，如果你DMA的目的地址，填了Flash的区域，那转运时，就会出错。转运7次之后，传输计数器自减到0，DMA停止，转运完成。，这里可以看ADC的配置，ADC如果是单次扫描，那DMA的传输计数器可以不自动重装，转换一轮就停止，如果ADC是连续扫描，那DMA就可以使用自动重装，在ADC启动下一轮转换的时候，DMA也启动下一轮的转运，ADC和DMA同步工作。
2025-07-29 18:55:06
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原创 STM32学习-ADC模数转换器&STM32的逐次逼近型ADC&输入通道&转换模式&触发控制&数据对齐&转换时间&校准&AD单/多通道实操
摘要： ADC（模数转换器）可将模拟电压信号量化为数字值，STM32内置12位ADC，分辨率0~4095，最快转换时间1μs。其核心为逐次逼近型结构，通过二分法比较DAC输出与输入电压，逐步逼近精确值。STM32 ADC支持16个外部通道和2个内部通道（温度传感器、基准电压），提供规则组（连续多通道转换）和注入组（高优先级突发转换）两种模式，需注意规则组数据需配合DMA防覆盖。转换模式包括单次/连续转换与扫描/非扫描组合，扫描模式需配置通道序列。外围电路需注意参考电压（0~3.3V）和时钟分频（≤14MHz
2025-07-29 15:37:11
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原创 STM32学习-基本/通用/高级定时器&定时中断&秒计时代码实操&对射式红外传感器翻转电平计数&定时器输出比较功能&PWM脉宽调制&舵机/直流电机简介&PWM驱动呼吸灯
摘要：本文详细解析了STM32定时器的原理与应用。在72MHz时钟下，通过16位预分频器（最大值65535）和16位计数器（最大值65535）组合，可实现最大59.65秒定时（72MHz/65536/65536）。文章系统介绍了基本定时器、通用定时器和高级定时器的架构差异，重点阐述了时基单元（PSC预分频器、CNT计数器、ARR自动重载寄存器）的工作机制。通过代码实例演示了定时中断、PWM输出（呼吸灯/舵机控制）和输入捕获（频率测量）三大功能，其中PWM模式通过CCR值调节占空比，输入捕获利用主从模式自动清
2025-07-28 21:13:58
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原创 STM32学习-中断系统&STM32中断简介&EXTI外部中断&旋转编码器接线及代码实操
摘要：STM32外部中断(EXTI)机制能及时响应突发信号，避免数据丢失。通过中断向量表实现硬件跳转，NVIC控制器统一管理中断优先级。EXTI可配置为中断或事件响应模式，支持20路输入（16个GPIO+4个唤醒源）。使用时需配置RCC、GPIO、AFIO、EXTI和NVIC五个步骤，特别注意相同编号的GPIO引脚不能同时中断。典型应用场景包括编码器脉冲和红外信号接收，但不推荐用于按键检测。中断函数需检查标志位并及时清除，防止重复触发。代码实现需注意NVIC和EXTI无需单独开启时钟，它们分别由内核和NVI
2025-07-24 13:56:38
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原创 电子元器件-电容中篇-分类、具体参数，选型
电容特性及应用解析 摘要：本文系统阐述了电容的工作原理、关键参数及应用要点。电容通过充放电实现"通交流阻直流"的特性，其容值与结构相关。关键参数包括：耐压值（需降额使用）、ESR（决定滤波效果）、温度特性（影响容值稳定性）等。陶瓷电容性能稳定但容量小，钽电容容量大但耐压差，铝电解电容稳定性最差但成本低。选型需综合考虑工作电压、温度、频率等因素，特别注意钽电容需严格降额使用且不能用于接口处。实际应用中，多层电容并联可扩展容值范围并降低整体ESR。
2025-07-22 09:09:05
996
原创 STM32学习-GPIO基本结构&位结构&8种工作模式&LED蜂鸣器输出实操&按键传感器输入实操&手册章节解读
保护二极管通过提供低阻抗路径，将过电压引起的电流引导到VDD或VSS，从而保护内部电路；这种设计确保了GPIO引脚在异常电压条件下仍能安全运行，避免损坏。
2025-07-20 12:47:56
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原创 硬件设计-51核心板电路硬件设计原理详解，IDO、DUCK开关性稳压电源电路分析设计
(51单片机的常见封装：PID，LQFP(本文采用))原理图如上。
2025-07-18 13:14:56
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原创 电子元器件-电阻的应用篇
电阻应用要点总结 电阻在电路设计中主要发挥上下拉、分压限流、阻抗匹配等作用。上下拉电阻（10kΩ常见）可确保GPIO默认状态，防止上电异常；0Ω电阻用于EMC防护、跳线兼容设计及调试测试；OC/OD输出结构需外接上拉电阻。选型需考虑封装尺寸（如0402）、功率降额（高温时需降额使用）、精度（1%/5%）等参数。关键设计原则包括：开关控制脚应确保默认状态正确，高速信号线需注意上拉电阻对边沿的影响，混合电路地平面通过0Ω电阻单点连接。实际应用中，上下拉电阻使用频率最高，而分压限流作用较少采用。
2025-07-16 09:52:49
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原创 电子元器件-二极管基础
2>在电压源第一个周期的第一个半波上，当电容电压与输入信号电压相差0,7时，电容停止充电(此时，由于二级管固定分0.7V电压，所以电压源==电容电压，无法在给电容更大电压充电)说白了，USC电位是被两个电容钳位了，6.7V or 2.7V,答案为2.7V，直接记住结论：两电容并联，哪个电压低，电路的输出电压就是低电压再加上0.7V。3>在电压源第一个周期的第二个半波上，电容无法充电，因为此时给了反方向的电压，二级管截止，电路断路，电容无法在此时的直流电路中充放电，因此电容电压保持不变。
2025-07-06 15:08:57
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原创 电子元器件-电容，电感基础
电容---两块不连通的导体中间加绝缘材料，用于存储电荷和能。单位为法拉(F)。电容器是能够储蓄电能，并可在必要的时候放电的零部件。放出电荷(放电)时，会不断衰减，只能在短时间内供给电流，但是可反复进行充电和放电。(充电：当电容器连接到电源时，正极板上的电荷会被推入电容器，而负极板上的电荷则会被吸引到电源。这样，电容器内部就会储存起电荷。电容容抗计算公式：（直流电中，f=0，则R=无穷，则断路；而交流电中，f!=0,则=值，与其他负载分压）
2025-07-03 17:28:56
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原创 电子元器件-电阻初篇/基础，multisim使用
1>用直流电压源测量，假如测一个10的电阻，给1V电压，则理想情况下=0.1A，则可得出电阻为10，但实际可能测得为0.095A，存在仪器误差，不太好。
2025-07-01 08:46:10
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原创 BFS,DFS的应用场景及DFS的注意点，具体题：165.小猫爬山
排列数字：(如上图所示) 当你枚举第三位后，结果输出“1 2 3”，之后要回头找其他可能情况，先回溯到第二位,初始1在第一位(bool[1]=1)，而2已经枚举过了，所以枚举3，所以要在第三位回溯时，把3弃掉（bool[3]=0）;因为选择选下了，会对后面的操作有影响(例：迷宫问题，你选择走（i,j）这步，再递归（i,j）四周作为下一步，而当这个系列的dfs走完了，你并没有清除查重数组st中的值，则后续这些点都无法在被遍历到了)。(例如：1，2，3，97，98，99情况。第一种考虑4辆，而第二种3辆)。
2024-02-02 21:38:13
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原创 匈牙利-二分图最大匹配：372.棋盘覆盖
一般都是如此，二分图的难题都能从题目中分析出二分图两个原则的影子，再去往二分图上靠。关键是分析出原则1的题目说明，满足了二分图的其中一个条件，在去思考原则2。为什么能想到二分图最大匹配？
2024-02-01 20:30:17
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原创 扩展域并查集/二分图+二分：257.关押罪犯
在两个监狱中放犯人，犯人间有冲突，放置使犯人间冲突的最大值最小，就是求最小的冲突最大值---->常考虑二分，则枚举冲突最大值：check函数(若冲突值比mid大的都要分到不同监狱，比mid小的无所谓)满足，则继续往小了枚举。“，有两种关系，冲突和无冲突，明显可以用扩展域并查集，1-N为犯人，N+1-2*N为对应1-N的敌人，要冲突最大值最小，则从大到小排。就如本题(并非二分最大匹配)，明显有两种关系(监狱1，2)，要使1,2内部无冲突/冲突值
2024-02-01 19:41:14
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原创 带SLF和LLL优化的SPFA:342.道路与航线
对即将入队的元素进行操作，与队头元素的dis值进行比较，若大于或此时队列为空，放入队尾；(原理不太清楚，查半天没有，大概就是先遍历小的部分更容易吧，有兄弟能给我解释解释吗？对出队元素进行操作，队列中所有dis数组值 和为sum,个数为num；如果出队元素t的dis[t]*num>sum，则把t从队头换到队尾(就是dis[t]大于现在在队列中dis的平均值)。当初学spfa时，老师口口声声说，时间复杂度最大O(nm),大概率O(m)；起点s，到各个点距离计算，spfa一遍即可，最后循环一遍dis数组就行了。
2024-02-01 15:55:54
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原创 dijstra+超级源点：1488.最短距离
而多源/多汇最短路问题的另一个常见做法：单源最短路+超级源点/汇点(差不多意思，一个是起点，一个是终点，用方向体现)，例如本题，权值全是正的且n~m(为稀疏图)，考虑dijkstra算法堆优化版,时间复杂度为。本题的数据陷阱：本题为无向图，则idx会变为2*M,而我们又设立了超级源点，k
2024-02-01 12:11:20
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