ASEMI场效应管40N120的参数特点和作用优势

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40N120参数描述

型号：40N120

封装：TO-220

特性：低功耗场效应管

电性参数：40A 1200V

集电极电流(IC)：40A

脉冲集电极电流(ICM)：160A

集电极-发射极电压(VCES)：1200V

栅极-发射极电压(VGES)：±25V

G-E阈值电压(VGE)：5.5V

G-E漏电流(IGES)：250nA

工作温度：-55~+150℃

引线数量：3

场效应管40N120具有以下特点：

（1）场效应管40N120是电压控制器件，通过VGS（栅源电压）控制ID（漏电流）；

（2）场效应管40N120的控制输入端电流极小，因此其输入电阻很大。

（3）40N120采用多数载流子导电，温度稳定性较好；

（4）由它组成的放大电路的电压放大系数小于由三极管组成的放大电路的电压放大系数；

（5）场效应管40N120抗辐射能力强；

（6）由于40N120没有杂乱的运动电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。

 

40N120作用：

1、场效应管可用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，耦合电容可以有更小的容量，不必使用电解电容。

2、场效应管的高输入阻抗非常适合进行阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。

3、场效应管可作为可变电阻使用。

4、场效应管可方便地用作恒流源。

5、场效应管可作为电子开关使用。

40N120使用优势：

场效应管是电压控制元件，晶体管是电流控制元件。当只允许从信号源汲取较少电流时，应使用场效应管；当信号电压低并且允许从信号源汲取较多电流时，应使用晶体管。场效应管使用多数载流子导电，因此称为单极器件，而晶体管同时使用多数载流子和少数载流子导电，称为双极器件。有些场效应管的源漏极可以互换使用，栅极电压也可以正负，比三极管灵活。

场效应管可以在非常小的电流和非常低的电压条件下工作，其制造工艺可以很容易地将许多场效应管集成在一个硅芯片上，因此场效应管被用于大规模集成电路中。