ASEMI场效应管7N60,7N60详细参数,7N60应用领域

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7N60详细参数:

型号:ASEMI场效应管7N60

漏源电压(VDSS):600V

栅源电压(VGSS):±30V

持续漏极电流(ID):7A

脉冲漏极电流(IDM):28A

雪崩电流(IAR):7A

工作结点和存储温度范围(TJ,TSTG):-55 to +150℃

最大功耗(PD):155W

零栅极电压漏极电流(IDSS):1uA

正向门体漏电流(IGSSF):10uA

栅源阈值电压(VGS(th)):4V

漏源导通电阻(RDS(on)):1.2Ω

输入电容(Ciss):1460pF

输出电容(Coss):236pF

开启延迟时间(td(on)):13ns

关断延迟时间(td(off)):26ns

总栅极电荷(Qg):32nC

连续二极管正向电流(IS):7A

脉冲二极管正向电流(ISM):28A

二极管正向电压(VSD):1.5V

反向恢复时间(trr):648ns

反向恢复电荷(Qrr):4.8uC

 

7N60特征

低栅极电荷

低输入电容

快速切换

100%雪崩测试

改进的dv/dt功能

7N60应用领域:电源、网络、通讯、汽车电子、工业控制、医疗设备、LED照明、HID整流器、传感器、语音分离器、隔离器、RJ45、安防、电机、无线充电器、蓝牙模块、消费电子、计算机和周边产品等行业。

 

 

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