ASEMI整流桥GBU406~GBU410薄体扁桥

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GBU406~GBU410系列在GBU-4封装里采用的4个芯片,其尺寸都是84MIL,是一款薄体扁桥。GBU406~GBU410的浪涌电流Ifsm为150A,漏电流(Ir)为5uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。GBU406~GBU410系列都是采用光阻GPP硅芯片材质,里面有4颗芯片组成。GBU406~GBU410系列的电性参数是:正向电流(Io)为4A,反向耐压为50V-1000V,正向电压(VF)为1.05V,其中有4条引线。

 

GBU406~GBU410参数描述

型号:GBU406~GBU410

封装:GBU-4

特性:薄体扁桥

电性参数:4A  50V-1000V

芯片材质:光阻GPP

正向电流(Io):4A

芯片个数:4

正向电压(VF):1.05V

芯片尺寸:84MIL

浪涌电流Ifsm:150A

漏电流(Ir):5uA

工作温度:-55~+150℃

引线数量:4

 

GBU406~GBU410扁桥封装系列。它的本体长度为18.6mm,加引脚长度为36.4mm,宽度为21.9mm,高度为3.5mm,脚间距为5.1mm。GBU406~GBU410系列采用500/盒和5000/箱的包装方式。

5V8A 4端口USB充电器(HFC0500+MP6902 )ALTIUM设计硬件原理图PCB+AD集成封装库+BOM,2层板设计,Altium Designer 设计的工程文件,包括完整的原理图及PCB文件,可以用Altium(AD)软件打开或修改,可作为你产品设计的参考。集成封器件型号列表: Library Component Count : 31 Name Description ---------------------------------------------------------------------------------------------------- BRIDGE RECT/GBU406 Diode;600V;4A CAP/0603 Ceramic Capacitor;25V;C0G;0603; CAP/0805 Ceramic Capacitor;25V;X7R;0805 CAP/1206 Ceramic Capacitor;630V;U2J CAP/DIP/OD10 *20 P5.0Electrolytic Capacitor;16V;Electrolytic CAP/ELECT/DIP/OD18.0P7.5Electrolytic Capacitor;400V;Electrolytic CAP/ELECT/DIP/OD5.3P2.0Electrolytic Capacitor;25V;Electrolytic;DIP CAP/FILM/L13.0W7.0/P10Capacitor;4000V;20% CAP/FILM/L8.1W5.0P5.0High Voltage Capacitor;1000V CONN/4PIN/2MM CONN/4PIN/2MM CONN/DIP/2PIN/9.5MM Connector Component_1_1 DIODES/DO-15 Diode;145V;1mA DIODES/DO-41 Diode;1000V;1A DIODES/SMA Diode;1000V;1A DIODES/SOD-123 Diode;200V;0.2A; DIODES/ZENER Zener Diode;82V;0.015A DIODES/ZENER/SOD-123Zener Diode;18V;5mA/500mW; FUSE/DIP/4.5*8.5P5.08Fuse;250V;3.15A HFC0300HS Chip;EP205404R0;1043;R0 IPP65R280E6 Mosfet;700V;0.28/10V;45;39 MP6902DS Chip;FA972992AR/W8;0949;R1 PC817A Photocoupler;1-Channel RES/0603 Resistor;1%;1/10W; RES/0805 Film Resistor;5%;1/8W RES/1206 Resistor;1% SUP90N10-8M8P N-Channel Mosfet;100V;8.8/10V;97;90 TL431/SOT23 Chip Wurth/40415 Inductor;10mH;710m;600mA Wurth/7448640416 Inductor;18mH;1.2 Ohm;0.5A X-CAP X-CAP
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