10N60-ASEMI中小功率MOS管10N60

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10N60在TO-220AB封装里的栅极阈值电压VGS(TH)为4V，是一款中小功率MOS管。10N60的脉冲正向电流ISM为40A，连续漏极电流(ID)为10A，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。10N60的功耗(PD)为155W，静态漏源导通电阻(RDS(ON))为0.85Ω。10N60的电性参数是：二极管正向电压(VSD)为1.5V，反向恢复时间(Trr)为600nS，输出电容(Coss)为180pF，其中有3条引线。

 

10N60参数描述

型号：10N60

封装：TO-220AB

特性：中小功率MOS管

电性参数：10A 600V

栅极阈值电压VGS(TH)：4V

连续漏极电流(ID)：10A

功耗(PD)：155W

二极管正向电压(VSD)：1.5V

静态漏源导通电阻(RDS(ON))：0.85Ω

脉冲正向电流ISM：40A

反向恢复时间(Trr)：600nS

输出电容(Coss)：180pF

贮存温度：-55~+150℃

引线数量：3

10N60属于TO-220AB封装系列。它的本体长度为15.87mm，加引脚长度为28.8mm，宽度为10.16mm，高度为4.7mm，脚间距为2.54mm。