ASEMI代理FGH60N60SFD,安森美FGH60N60SFD原装IGBT

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安森美FGH60N60SFD原装IGBT参数:

型号:FGH60N60SFD

集电极到发射极电压(VCES):600V

栅极到发射极电压(VGES):±20V

收集器电流(IC):120A

二极管正向电流(IF):60A

最大功耗(PD):378W

工作结温度(TJ):−55 to +150℃

集电极截止电流(ICES):250uA

G−E阈值电压(VGE(th)):6.5V

输入电容(Cies):2820pF

二极管正向电压(VFM):2.6V

二极管反向恢复时间(Trr):47NS

 

FGH60N60SFD特征:

高电流能力

低饱和电压:VCE(sat)=2.3 V@IC=60 A

高输入阻抗

快速切换

该设备不含铅,符合RoHS标准

FGH60N60SFD应用:

FGH60N60SFD常应用于太阳能逆变器、UPS、焊机、PFC

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