多模块存储器与字位扩展的个人理解

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前言

在学机组的时候，突然分不清多模块存储器和字位扩展的区别，所以学习之后，记录一下。

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一、操作目的

简单说一下我理解的，为什么要用这些技术，如有错误，可以在评论区指出

1.1字位扩展

字扩展：存储地址不够了，需要多块DRAM来串联。
位扩展：存储字长不够，需要多快DRAM并联。

1.2多模块存储器

多模块存储器：存储器一次存取N位数据，但是CPU可以一次存取更多的数据，所以通过改造成多模块存储器，一次存取更多的数据（增加吞吐量）。
单体多字存储器是一次存取从单个存储器（扩容后）中读取更多位，而多体并行存储器（低位交叉编址）是一次存取从存储器内 多个模块中读取多次。

二、概念异同

1.字扩展和多体并行存储器

字扩展就是单纯的存储地址不够，需要多个存储器串联，而多体并行存储器是为了加大吞吐量，增加一次读取的数据量。
之所以我一开始给搞混了，是因为两者都可以导致存储空间的变大，但多体并行存储器的存储空间变大是附带的。
且两者的作用范围也不同。下图是两技术的应用范围和存储器件之间的关系。

2.位扩展和单体多字存储器

用2022年408的第17题举例

首先得理解为什么要位扩展？比如计算机按字节编址，那样一个地址对应的存储字长就是8位，一次存取，给一个地址，就可以取出8个数据。此时如果我的芯片是n*4bit，那就需要位扩展，使得给一个地址（一次存取）的时候，把4+4bit数据分开存储。

此题中总线宽度是64位（一次存取64bit），由于计算机是按字节编址的，所以一个地址中只有8bit数据（如果该内存条是采用位扩展，扩展成64位，那么一个地址中就64bit，不再是按字节编址），所以一次存取周期需要八个DRAM芯片全访问一次，而这就是多模块交叉编址的能力（低位交叉编址可以提升吞吐量）。

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总结

一开始没搞明白还是基础不够扎实，希望自己可以继续努力，诸君共勉。