常见嵌入式存储器区别

FRAME2PROMFLASHSRAM
记忆类型非易失性非易失性非易失性易失性
数据写入方法重写字节单元擦除+写入扇区单元擦除+写入重写
数据写入周期150ns10ms10μs55ns
读写耐久性1012(1万亿次)106(100万次)105(10万次)无限
电荷泵电路不需要需要需要不需要

转自 EEWORLD
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