0.768nm 堪比两个硅原子美国造出全球最高分辨率的光刻机

众所周知，目前 5nm 及以下的尖端半导体制程必须要用到价格极其高昂的 EUV 光刻机，ASML 是全球唯一的供应商。

更为尖端 2nm 制程的则需要用到 ASML 新一代 0.55 NA EUV 光刻机，售价或高达 4 亿美元。

Intel 正计划利用新一代 0.55 NA EUV 光刻机来开发其 Intel 20A（2nm）及 18A（1.8nm）制程。

但是，要想实现 1nm 以下的更先进的制程，即便是 ASML 新一代 0.55 NA EUV 光刻机也束手无策。

近日美国一家旨在开发和商业化原子精密制造 ( APM ) 技术的公司 Zyvex Labs 宣布推出了全球分辨率最高的亚纳米分辨率光刻系统 "ZyvexLitho1"。

它并没有采用 EUV 光刻技术，而是基于 STM 扫描隧道显微镜，使用的是电子束光刻（EBL）方式，可以制造出具有 0.768nm 线宽（相当于 2 个硅原子的宽度）的芯片，精度远超 EUV 光刻机。

一、实现更高的分辨率和精度的关键：氢去钝化光刻

ZyvexLitho1 所采用自我显影的电子束光刻 ( EBL ) 技术的核心是使用氢去钝化光刻 ( HDL ) 从 Si ( 100 ) 2 x 1 二聚体列（dimer row）重建表面去除氢（H）原子。

氢去钝化光刻是 EBL 的一种形式，它通过非常简单的仪器实现原子分辨率，并使用能量非常低的电子。

它使用量子物理学有效地聚焦低能电子和振动加热方法，以产生高度非线性（多电子）的曝光机制。HDL 使用附着在硅表面的单层 H 原子作为非常薄的抗蚀剂层，并使用电子刺激解吸在抗蚀剂中创建图案。

传统 EBL 使用大型昂贵的电子光学系统和非常高的能量 ( 200Kev ) 来实现小光斑尺寸；但是高能电子（获得小光斑尺寸所必需的）分散在传统 EBL 使用的聚合物抗蚀剂中，并分散沉积的能量，从而形成更大的结构。HDL 实现了比传统 EBL 更高的分辨率和精度。

数据显示，光刻胶中的沉积能量不会下降到光束中心的 10%，直到径向距离约为 4nm。

使用 HDL，实验团队能够暴露比 EBL 的 10% 阈值半径小>10 倍的单个原子。

这个小得多的曝光区域令人惊讶，因为 HDL 不使用光学器件，只是将钨金属尖端放置在 H 钝化硅样品上方约 1nm 处。

人们会期望，如果没有光学器件来聚焦来自尖端的电子ÿ