利用89C52RC的DATAFLASH实现掉电存储数据

最新推荐文章于 2024-04-30 14:23:30 发布
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文章标签： C51 掉电 存储 记忆
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本文链接：https://blog.csdn.net/riyuebo/article/details/50059937
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以下蓝色字转自

http://xouou.iteye.com/blog/1815427

STC单片机的内部EEPROM是用DATAFLASH模拟出来的,不是真正的EEPROM存储器,不能用普通的方法来操作
下面是一些注意点:
1.字节写之前要先将这个字节所在扇区的其它有效数据读取到RAM暂存(这步不是必须的)
2.暂存完之后再对整个扇区(512字节)进行擦除操作，擦拭完后,整个扇区每个地址中数据都变成0xFF
3.将欲写入的N个字节数据,用字节写函数写入EEPROM

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riyuebo
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