计组-存储器

目录

一、 存储器分类

1.1 按存储介质分类

1.2 按存取方式分类

1.3 按在计算机中的作用分类

二、主存储器

2.1 主存的技术指标

2.3 译码驱动方式

2.4 随机存取存储器

2.4.1 静态RAM

2.4.2 动态RAM

2.4.3 静态RAM与动态RAM的比较

2.4.4 动态RAM刷新

2.5 只读存储器

2.5.1 掩模ROM

2.5.2 PROM

2.5.3 EPROM

2.6 存储器与CPU的连接

2.6.1 位扩展

2.6.2 字扩展

2.6.2 字、位扩展

2.7 提高访存速度的措施

2.7.1 单体多字系统

2.7.2 多体并行系统

三、高速缓冲存储器

3.1 Cache的工作原理

3.2 Cache - 主存地址映射

3.2.1 直接映射

3.2.2 全相联映射

3.2.3 组相联映射

四、辅助存储器

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一、 存储器分类

1.1 按存储介质分类

        半导体器件: 体积小, 功耗低, 存取时间短。电源消失时, 信息也随机丢失(易失性存储器)。 

        磁性材料: 在金属或塑料表面涂一层磁性材料作为记录介质, 非易失性存储器。

        光盘: 应用激光在记录介质(磁光材料)上进行读/写的存储器, 非易失性存储器。

1.2 按存取方式分类

        串行访问存储器: 对存储体进行读/写操作时, 需按其物理位置的先后顺序寻找地址。

        随机存储器(Random Access Memory): 存储器的任何一个存储单元的内容都可以随机存取, 分静态RAM(触发器原理)和动态RAM(电容充放电原理), 存取时间与存储单元物理位置无。

        只读存储器(Read Only Memory): 存储的内容只能读, 而不能重新写入的存储器, 通常存放固定不变的程序。

1.3 按在计算机中的作用分类

        主存储器: 主要特点是可以与CPU直接交换信息, 速度快, 容量小, 价格高。

        辅助存储器: 存放当前占时不用的程序和数据, 不能与CPU直接交换信息, 速度慢, 容量大, 价位低 。

        缓冲存储器: 用在两个速度不同的部件之间, 如CPU与主存间, 主存与辅助存储器之间。

存储器的层次结构图:

二、主存储器

主存中存储单元地址的分配:

2.1 主存的技术指标

        存储容量: 存储单元个数(MAR) x 存储字长(MDR位数) ( 单位: b ) 。

        存储器带宽: 单位时间内存储器存取的信息量 。

        存储时间: 启动一次存储操作(读/写)到完成该操作所需的全部时间。

        存取周期: 存储器进行连续两次独立的存储器操作所需最小间隔时间, 通常存取周期大于存取时间。

2.3 译码驱动方式

线选法:

        特点: 一根字选择线直接连接一个存储单元, 只适用容量不大的存储芯片

重合法:

        特点: 对比线选法, 可以减少地址线, 如32*32根地址线可以连接1024个存储单元。

2.4 随机存取存储器

2.4.1 静态RAM

        基于触发器工作原理存储信息, 电源掉电时, 原存信息丢失, 属易失性存储器。

2.4.2 动态RAM

        基于电容存储电荷的原理来寄存信息。若电容上存有足够多的电荷表示 "1''; 电容上无电荷表示存 "0" 属易失性存储器。

        电容上的电荷一般只能维持1-2ms, 因此必须在2ms内对所有存储单元恢复一次原状态, 即刷新。

2.4.3 静态RAM与动态RAM的比较

        1) 动态RAM具有集成度高, 功耗更低, 价格低, 广泛应用于计算机的主存。

        2) 静态RAM速度快, 价格高, 高速缓冲存储器大多用静态RAM实现。

2.4.4 动态RAM刷新

        刷新的过程实质上是将原存信息先读出, 再由刷新放大器形成原信息重新写入的过程。一般取2ms为刷新周期或称再生周期。通常有三种方式刷新: 集中刷新, 分散刷新, 异步刷新。

1) 集中刷新

        集中刷新是在规定的一个刷新周期内, 对全部存储单元集中一段时间逐行进行刷新, 刷新过程必须停止读/写操作。不能进行读/写操作的这段时间称为访存 "死区"。

集中刷新时间分配示意图:

2) 分散刷新

        分散刷新是指对每行存储单元的刷新分散到每个存取周期内完成, 存取周期分读/写周期+刷新周期。这样不存在 "死区" , 但存取周期变长, 系统速度下降。

分散刷新时间分配示意图:

3) 异步刷新

        异步刷新是前两种方式的结合, 既可以缩短 "死区" , 又充分利用最大刷新间隔2ms的特点。

异步刷新时间分配示意图:

2.5 只读存储器

2.5.1 掩模ROM

        以重合驱动为例, 行, 列交叉处是否有耦合元件MOS管, 便可区分存 "1" 还是存 "0"; 此ROM制成后不可改变行, 列交接处的MOS管是否存在。

1位 x 1K的MOS管掩模ROM图:

2.5.2 PROM

        可以实现一次性编程的只读存储器, 依靠熔丝断和未断来区别所存信息是 "0" 或 "1" 。

示意图:

2.5.3 EPROM

        一种可擦除可编程只读存储器。依据浮动栅使源S和漏D之间是否的导通来区别 "1" 和 "0" 状态。 可用紫外线照射, 驱散浮动栅。

N型沟道浮动栅MOS电路图:

2.6 存储器与CPU的连接

        将若干存储芯片连在一起组成足够容量的存储器, 称为存储容量的扩展, 通常有位扩展和字扩展。

2.6.1 位扩展

        增加存储字长。

示意图:

2.6.2 字扩展

        增加存储器字的数量。

示意图:

2.6.2 字、位扩展

        既增加存储字的数量, 又增加存储字长。

示意图:

2.7 提高访存速度的措施

2.7.1 单体多字系统

        根据程序和数据在存储体内是连续存放的, 因此CPU也是连续访存取出信息的。通过增大存储器的带宽, 在一个周期内, 从同一地址取出多条指令, 可以提高系统速度。但遇到转移指令, 或操作数不能连续存放, 则效果不明显。

原理图:

2.7.2 多体并行系统

        采用多体模块组成的存储器。每个模块都有相同的容量和存取速度及独立的MAR和MDR寄存器等部件, 能并行工作, 又能交叉工作。高位地址表示体号, 低位地址为体内地址。

1) 并行工作

        程序按体内地址顺序存放, 可以使得不同请求源同时访问不同的体(体号), 实现并行工作。

高位交叉, 顺序编址示意图:

2) 交叉工作

        程序连续存放在相邻的体内, 可提高存储器的带宽, 同时读取多个体中存储的指令。

低位交叉编址的四体存储器: 

三、高速缓冲存储器

        基于程序的局部性原理, 提高系统效率。

3.1 Cache的工作原理

Cache - 主存存储空间的基本结构图:

Cache的基本结构原理图:

Cache的读数流程图:

写操作比较复杂, 必须与被映射的内存块内的信息完全一致。主要有以下几种方法: 

        写直达发: 写操作时数据既写入Cache又写入主存, 但增加了访存次数。

        写回发: 即写操作时只把数据写入Cache而不写入主存, 当Cache数据被替换出去时才写回主存。可设置一个标志位, 标志位表示被修改过才需写回主存。多次写操作只需一次写入内存, 但增加了Cache的复杂性。

3.2 Cache - 主存地址映射

3.2.1 直接映射

        利用主存地址的 t 位直接判断, 可确定所需字块是否在缓存中。缺点是不够灵活, 每个主存块只能固定某个对应的缓存块, 使缓存的存储空间得不到充分利用。

示意图:

3.2.2 全相联映射

        全相联映射允许主存中的每一字块映射到Cache中的任何一块位置上, 方式灵活, 但标记位数增多, 且访问Cache时主存字块标记需要和Cache的全部标记位进行比较。

示意图: 

3.2.3 组相联映射

        组相联映射是对直接映射和全相联映射的一种折中。

示意图: 

四、辅助存储器

        在操作系统中赘述, 详情查看I/O设备管理与文件系统 磁盘部分的内容 。