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RSS订阅转载 差分信号
一个差分信号是用一个数值来表示两个物理量之间的差异。从严格意义上来讲，所有电压信号都是差分的，因为一个电压只能是相对于另一个电压而言的。在某些系统里，系统'地'被用作电压基准点。当'地'当作电压测量基准时，这种信号规划被称之为单端的。我们使用该术语是因为信号是用单个导体上的电压来表示的。 另一方面，一个差分信号作用在两个导体上。信号值是两个导体间的电压差。尽管不是非常必要，这两个电压的平均值
2011-12-28 21:17:29
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转载 EMC
EMI是干扰测试, 是被测产品对环境和别的产品干扰能力的测试;EMS是抗干扰测试, 是被测产品抵抗来自环境和其他产品干扰信号的测试;EMC包含以上两部分, 是统称. 问题：什么是电磁干扰(EMI)？电磁干扰EMI是什么意思？电磁干扰（Electromagnetic Interference 简称EMI），有传导干扰和辐射干扰两种。传导干扰是指通过导电介质把一个电网
2011-12-28 20:57:20
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转载 EMC
EMI是干扰测试, 是被测产品对环境和别的产品干扰能力的测试;EMS是抗干扰测试, 是被测产品抵抗来自环境和其他产品干扰信号的测试;EMC包含以上两部分, 是统称.问题：什么是电磁干扰(EMI)？电磁干扰EMI是什么意思？电磁干扰（Electromagnetic Interference 简称EMI），有传导干扰和辐射干扰两种。传导干扰是指通过导电介质把一个电网络上的信号耦合(干扰)到
2011-12-28 20:47:50
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转载 函数指针数组
关于函数指针数组的定义 关于函数指针数组的定义方法，有两种：一种是标准的方法；一种是蒙骗法。 第一种，标准方法： { 分析：函数指针数组是一个其元素是函数指针的数组。那么也就是说，此数据结构是是一个数组，且其元素是一个指向函数入口地址的指针。 根据分析：首先说明是一个数组：数组名[] 其次，要说明其元素的数据类型指针:*数组名[]. 再次，要明确这每一个数组元素是指
2011-11-19 11:29:53
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转载 VC编译连接选项(转)
大家可能一直在用VC开发软件，但是对于这个编译器却未必很了解。原因是多方面的。大多数情况下，我们只停留在“使用”它，而不会想去“了解”它。因为它只是一个工具，我们宁可把更多的精力放在C++语言和软件设计上。我们习惯于这样一种“模式”：建立一个项目，然后写代码，然后编译，反反复复调试。但是，所谓：“公欲善其事，必先利其器”。如果我们精于VC开发环境，我们是不是能够做得更加游刃有余呢？ 闲话少说
2011-11-19 10:48:48
220
原创 FM和AM
Tuner的FM和AM一直概念不清，学习一下， 以下是FM和AM信号调制的过程，FM为调频范围为76-108MHz，在我国为87.5-108MHz、日本为76-90MHz，AM为调幅范围在503---1060KHz 可以看出AM频率范围比较低，与一些芯片或外设的工作频率相近，为了避免干扰所以要针
2011-11-13 11:41:06
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转载 volatile
今天在用keil做一个简单的程序测试的时候，发现编译器把我定义的变量进行了优化，一直不能输出正确的结果。过了片刻，突然想到volatile这个修饰符，加上后果然奏效。#includevoid main(){ volatile unsigned char a; unsigned long temp = 0x12345678; unsigned char *p = &te
2011-11-12 22:55:02
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原创 数组指针
对C的指针总是理解不够清晰，看书时又发现一遗漏之处，现补充理解上， int a[5] = {1,2,3,4,5}; int *ptr = (int*)(&a+1); printf("%d,%d\n",*(a+1),*(ptr-1)); printf("%x,%x\n",&a[0],&a[0]+1); print
2011-11-12 22:44:14
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原创 大端&小端
自己对大小端的一点理解 union{ char a; int i; }endian; [ 低地址 | 高地址 ]int i; //一个int类型在内存中的存放方式 [ ] char
2011-11-12 21:26:25
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转载 内存对齐
对于大部分程序员来说，“内存对齐”对他们来说都应该是“透明的”。“内存对齐”应该是编译器的“管辖范围”。编译器为程序中的每个“数据单元”安排在适当的位置上。但是C语言的一个特点就是太灵活，太强大，它允许你干预“内存对齐”。如果你想了解更加底层的秘密，“内存对齐”对你就不应该再透明了。 一、内存对齐的原因内存对齐(3张) 大部分的参考资料都是如是说的： 1、
2011-11-12 18:44:24
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转载 NOR和NAND区别
一、类型理解 分为NOR（或非） NAND（与非）二、接口理解 NOR（或非）----地址、数据总线分开； NAND（与非）----地址、数据总线共用。三、读写单位： NOR（或非）----字节； NAND（与非）----页。四、组成结构： NOR（或非）----扇区、字节； NAND（与非）-
2011-11-12 11:39:31
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转载 DDR
越来越多的开始接触外扩存储器，所以DDR这个概念是需要了解的，索性来个扫盲，扫扫自己。 解释一： Double Data Rate：与传统的单数据速率相比，DDR技术实现了一个时钟周期内进行两次读/写操作，即在时钟的上升沿和下降沿分别执行一次读/写操作。 解释二： DDR=Double Data Rate双倍速率同步动态随机存储器。严格的说D
2011-11-12 11:32:55
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转载 NOR flash和NAND flash的区别
NOR flash和NAND flash的区别 一般而言，flash分为nor和nand2种，简单的说就是用or门和and门搭建的2种flash。目前用为海量存储器的flash都是nand结构，而一些当成rom使用的flash为nor结构。至于他们的物理上的区别，我也不明白，为了让自己扫盲，特地找了篇比较他们特性的入门文章，看来还是要多学习才行。intel也在将nand flas
2011-11-12 11:13:00
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转载 哈佛和冯诺依曼
中央处理器的体系架构可以分为：冯·诺依曼结构和哈佛结构 哈佛结构 哈佛结构是一种将程序指令存储和数据存储分开的存储结构，其为一种并行体系结构，主要特征是程序和数据存储在不同的存储空间，即为两个独立的存储器，每个存储器独立编址独立访问。与两个存储器相对应的是系统的4条总线：程序的数据总线与地址总线，数据的数据总线与地址总线。 这种分离的程序总线与数据总线可
2011-11-12 11:03:50
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空空如也
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