随着芯片工艺的精细化，ESD保护变得至关重要。高速信号芯片要求ESD器件寄生电容极低，以免干扰信号传输。选择低电容的flow-through ESD器件，如DFN封装的ULC0524P ULC0511CDN，可以兼顾高速传输和静电防护。理解ESD器件参数，如动作电压、电容和箝位电压，对于选择合适的保护器件是必要的。
防静电需求
目前的芯片工艺越来越精密，主IC都到纳米级别了，具有极薄光刻技术和极易受到 ESD 影响的栅极氧化物的先进技术，所以IC的防静电能力主要是保护自身在生产运输和安装过程中不受损坏。
其次具有高元件密度的 PCB 的集成电子板有助于 ESD 耦合和传播，所以整机中ESD现象时常发生。
为什么IC 制造商不愿意制造强大的嵌入式 ESD 保护二极管，因为它们需要大量先进且昂贵的技术的有效面积，防静电不同于别的芯片工艺，静电瞬间电流有数十安培，必须通过有效的芯片面积来防护，不是尖端工艺能解决的。
高速信号芯片防静电特点
ESD 保护器件的寄生电容必须足够低，以允许高速信号传输而不会降级。
ESD 保护器件的高寄生电容会增加过多的信号上升/下降时间并阻止通信，从而丢包。
以下是以电容置于高速信号线对信号的影响图形。
很多人不清楚这个电容的换算，也可以参考下面的图片
如何保证线路上的寄生电容足够小，而且走线也不影响差分信号阻抗匹配？
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