IC
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申小白
这个作者很懒,什么都没留下…
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IC 后端仿真: process corner 和 PVT
1、工艺角(Process Corner)与双极晶体管不同,在不同的晶片之间以及在不同的批次之间,MOSFETs 参数变化很大。为了在一定程度上减轻电路设计任务的困难,工艺工程师们要保证器件的性能在某个范围内。 如果超过这个范围,就将这颗IC报废了,通过这种方式来保证IC的良率。传统上,提供给设计师的性能范围只适用于数字电路并以“工艺角”(Process Corners)的形式给出。其思想是:把NMOS和PMOS晶体管的速度波动范围限制在由四个角所确定的矩形内。这四个角分别是:快NFET和快PFET,转载 2020-10-09 17:48:44 · 16373 阅读 · 1 评论 -
IC设计基础
IC设计基础1、稳压电源:LDO 和 DC-DC可以把稳压电源想象成为如下的一种情形:当试图从一个直径较大的自来水管中取出连续不断的且较小的水流时,可以采用两种策略:一种是使用一个转接阀门,并将阀门开启在较小位置,这就是线性电源的工作原理(可以将阀门看作晶体管)。线性电源的电压调整晶体管上承受着很大的“压力”(具体的表现是转换为热能的形式散耗);或者,可以改进一下,让大水管的水流到一个比较...原创 2020-03-18 13:29:41 · 1827 阅读 · 0 评论 -
IC 常见封装介绍
DIP:双列直插封装(dual in-line package)如图:SOP:(Small Out-Line Package小外形封装)是一种很常见的元器件形式。如图:SSOP:(Shrink Small-Outline Package)即窄间距小外型塑封。如图:TSOP:(Thin Small Outline Package),即薄型小尺寸封装。如图:QFP:(Plast...原创 2019-11-19 11:12:29 · 7240 阅读 · 0 评论