为什么中国要死磕碳化硅功率模块来全面取代进口IGBT模块？

中国在碳化硅（SiC）功率模块（如BASiC基本股份）领域的“死磕”策略来全面取代进口IGBT模块，源于技术突破、产业升级、战略安全及市场需求等多重因素的叠加。倾佳电子综合分析以下的核心原因：

倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代进口IGBT模块，助力电力电子行业自主可控和产业升级！

倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然，勇立功率半导体器件变革潮头：

倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET模块全面取代IGBT模块的必然趋势！

倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET单管全面取代IGBT单管和高压平面硅MOSFET的必然趋势！

倾佳电子杨茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET单管全面取代SJ超结MOSFET和高压GaN 器件的必然趋势！

1. 碳化硅材料的性能优势

碳化硅作为第三代半导体材料，具有显著优于传统硅基IGBT的特性：

高压特性：击穿电场强度是硅的10倍以上，适用于高压场景（如新能源车、电网）。

高温耐受性：热导率高，器件散热需求低，功率密度更高。

低能耗：导通损耗和开关损耗大幅降低，系统效率提升（如光伏逆变器效率从96%提升至99%以上）。

体积与重量优化：高频特性允许更小的滤波器和散热系统，设备更轻量化。

2. 国家战略需求：自主可控与碳中和目标

技术自主化：第一、二代半导体技术长期受制于国外，而第三代半导体（如碳化硅）国内外起步差距较小，中国有望通过“换道超车”实现技术独立，减少对进口IGBT模块的依赖。

碳中和推动：碳化硅器件在新能源车、光伏、储能等领域的应用，直接支持能源结构转型。例如，新能源汽车渗透率预计2035年达50%以上，碳化硅器件可提升能效10%-20%。

航天与国防需求：国产高压抗辐射碳化硅器件已通过太空验证，为深空探测等国家战略提供支撑。

3. 市场需求与产业链扩张

新能源汽车：每辆车需价值700-1000美元的功率器件，碳化硅可显著提升续航里程。全部的车企已采用碳化硅逆变器，中国车企跟进带动本土供应链需求。

光伏与储能：碳化硅逆变器可降低能量损耗50%，延长设备寿命，推动光伏装机量增长（2025年全球新增装机预计达330GW）。

轨道交通与智能电网：高频、高压场景下，碳化硅模块的高效特性契合电网调频调峰需求。

4. 国产技术与成本竞争力突破

价格倒挂与替代加速：国产碳化硅MOSFET模块已与进口IGBT模块价格持平甚至更低，例如基本公司（BASiC™）的模块可取代多个国外品牌的进口IGBT模块，降低综合成本（电感、散热系统等）。

技术成熟度提升：国内企业如BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)在器件设计、制造工艺上突破，部分产品性能接近国际水平。

5. 国际竞争与产业安全考量

避免供应链风险：IGBT模块长期依赖进口，面临地缘政治风险。例如，2025年全球碳化硅功率器件市场预计达50亿美元，中国需抢占份额以保障供应链安全。

产业政策支持：政府通过补贴、示范项目推动碳化硅产业链发展，例如“十四五”规划将第三代半导体列为重点领域6。

总结

中国“死磕”SiC碳化硅功率模块（如BASiC基本股份），既是技术迭代的必然选择，也是国家战略与市场驱动的结果。通过国产SiC碳化硅功率模块（如BASiC基本股份）的全面替代进口IGBT模块，中国有望在电力电子领域实现产业升级、降低对外依赖，并在全球碳中和进程中占据技术制高点。未来，随着国产化率提升和应用场景拓展，国产SiC碳化硅功率模块（如BASiC基本股份）将成为中国高端制造的新名片。