主存储器(内存)组织
- 存储体(一组)->存储单元(按字节的)->记忆单元(一个物理器件)
- MAR(地址),MDR(数据)
分类:
- RAM:直接通过地址译码得到数据,内存。随机(数组)
- SAM:按顺序读写,磁带。链表
- DAM:硬盘,直接定位到位置,读写时顺序的。
- 相联存储器AM:按内容存取,快表。
基本结构:
- 性能指标:
- 半导体存储器组织:
- 字线和位线:
- 内存条组织:内存条==多个位面(表示相同地址字节的不同位)->内存芯片->记忆单元
- 行,列选中地址。 位平面。每次选中所有芯片同行同列,读出所有位平面上的数据。
- 行列+片选地址。所有芯片共用行列地址,由片选地址确定哪一块芯片。
交叉编址:因为每次把所有芯片的行读入到行缓冲SRAM,然后在根据列地址+片选取字节。
所以列之间的数据是连续的(地址是连续的)。
- 读写过程:
cpu与内存通过存储总线(内存插槽)相连。由内存芯片的存储器控制器控制选中cpu需要的地址,通过数据线读入或写入。