闪存学习

闪存是长寿命，非易失性的储存器。以block为单位，
分为NOR,NAND，
NOR的主要用在内存中，有快，简单，结构为并联，按bit来读
NAND 的主要在硬盘中，结构为串联，按页来读

按最小cell分类

SLC 单元放1 bit （0，1）
MLC 单元放2 bit （00，01,11）
TLC 单元放3 bit （000,001,…,111）
目的是增大密度，
成本,性能，速度容量： SCL>MLC>TCL

NAND

地址：（列，页，块）
其中，页可以看作多个行，即页内的byte，多个cell
块：由多个行组成，
其中擦除数据用块为单位
写数据用页为单位

MLC

用不同的电压表示不同的状态
LSB，表示最低有效位，
MSB表示最高有效位
写都是从最低有效位开始写

FLASH 信道模型

单元间噪声干扰 CCI
传线结构
奇偶位线结构， 目的是减少硅的使用量
字线就是一个page 单元间的干扰较多
全位线结构， 单元间干扰较少

随机噪声，RTN

PE,擦除噪声
永久了就会产生噪声，优化，使用硬判决的电压，来读阈值

阈值电压分布：多种噪声干扰，卷积

多种噪声卷积干扰后，使用硬判决，使用电压定值。
噪声服从高斯分布
所以电压也服从高斯分布
硬判决通过读取边界值R来，读取电压值。