电焊机逆变基于上海贝岭IGBT(BLG80T65FDK7)的案例解决方案

逆变焊机作为一种先进的焊接设备，在现代工业中占据了重要的地位。与传统的变压器式焊接设备相比，具有诸多优点，如：

高效节能

由于逆变焊机的工作频率很高（通常在20kHz~100kHz），因此它能更有效地利用电能，减少能量损失。

轻便便携

相比传统焊机，逆变焊机体积小、重量轻，易于携带。

焊接性能好

逆变焊机能提供更稳定的电弧，减少飞溅，提高焊接质量。

可调节性强

用户可以根据不同的焊接材料和厚度来调整焊接参数，灵活性更高。

如图1所示，逆变焊机工作原理是先将电网提供的工频交流电转变为直流电，然后通过电子开关（IGBT/MOSFET）将直流电逆变成高频交流电，最后通过整流得到适合焊接工艺要求的电流和电压。

二、逆变焊机拓扑介绍

逆变焊机主电路拓扑已经较为成熟，主要的拓扑有双管正激式、推挽式、半桥式、全桥式等。

图2.1为半桥式拓扑结构。该拓扑由两个功率管组成桥式电路，其对称交替导通有利于变压器完全复位，磁芯利用率高，输出响应快，且半桥分压电容器的存在能够较好抗磁偏。该拓扑广泛应用于中小功率逆变焊机。但在相同功率下，半桥式功率管要承受更大的电流。

图2.2为全桥式拓扑结构。该拓扑由四个功率管组成桥式电路，主要应用于大电流、大功率场合，变压器磁芯利用率高，成本也相应较高。

图2.1 半桥逆变主电路

图2.2 全桥逆变主电路

三、逆变焊机IGBT损耗分析

目前市面上大部分逆变焊机采用的为硬开关电路，电路拓扑如图2.1和2.2，通过测试分析，该应用场景IGBT器件的损耗主要来源于以下四个部分，如图3.1所示：

1.GBT器件内部合封二极管续流和反向恢复过程损耗Ediode

2.IGBT开启损耗Eon

3.IGBT通态损耗Econ

4.IGBT关断损耗Eoff

图3.1 逆变焊机IGBT开关波形

如图3.2所示，逆变焊机硬开关应用中，关断损耗Eoff占比最大，其次为导通损耗Econ。

四、上海贝岭650V/80A IGBT产品优势

上海泽兆电子科技有限公司在工业控制领域深耕数年，为适应逆变焊机客户大电流IGBT单管需求，代理并力推上海贝岭研发推出650V/80A IGBT单管BLG80T65FDK7，助力高效率逆变焊机设计。该器件具有开关速度快、关断损耗小、导通电压低等特点，可满足客户高效率设计要求。

BLG80T65FDK7采用了第七代微沟槽多层场截止IGBT技术，进行了特殊工艺控制，优化了VCE(sat)和Eoff参数，提升了产品的可靠性。

逆变焊机中IGBT的导通损耗占总损耗比例较大，影响导通损耗的主要参数为VCE(sat)，常温下贝岭BLG80T65FDK7导通压降比业内大众产品低12%，导通损耗比竞品更低。

同时较小的寄生电容，这保证了器件有更高的开关速度，开关频率高达50kHz以上。

IGBT开关频率的提高还可以显著提升逆变焊机对电流的控制精度，同时器件损耗的减小，可在大功率输出工况下提升焊机的工作效率，显著降低正常工作时IGBT器件的温升。上海贝岭BLG80T65FDK7基于优异的器件设计，为逆变焊机系统顺利通过温升、输出短路等测试提供了保障。如图4.1，常温自然散热情况下，贝岭BLG80T65FDK7和竞品壳温基本一致，满足客户的需求

上海贝岭功率器件产品线齐全，包含MOSFET、IGBT等系列产品，为逆变焊机主逆变和辅助电源设计提供助力，具体型号参考表1：

电焊机逆变器功率器件推荐

型号	电压	电流	封装	器件类型	应用
BLG80T65FDK7	650V	80A	TO247	IGBT	逆变电焊机
BLG40T120FUK	120V	40A	TO247	IGBT	逆变器,焊机
BLG40T120FUK5	120V	40A	TO247	IGBT	逆变器,焊机
BLG40T65FUK	650V	40A	TO247	IGBT	逆变器,焊机
BLG50T65FUKA	650V	50A	TO247	IGBT	逆变器,焊机
BLG60T65FDK	650V	60A	TO247	IGBT	逆变器,焊机
BLG75T65FUK	650V	75A	TO247	IGBT	逆变器,焊机
BL20N50	500V	20A	TO3-PN	MOSFET	逆变器,焊机
BL23N50	500V	23A	TO3-PN	MOSFET	逆变器,焊机
BL25N50	500V	25A	TO3-PN	MOSFET	逆变器,焊机
BL30N50	500V	30A	TO3-PN	MOSFET	逆变器,焊机
BL9N90	900V	9A	TO-3PF	MOSFET	辅助电源
BL5N135	1350V	5A	TO-3PF	MOSFET	辅助电源
BL2N150	1500V	2A	TO-3PF	MOSFET	辅助电源
BL3N150	1500V	3A	TO-3PF	MOSFET	辅助电源
BL4N150	1500V	4A	TO-3PF	MOSFET	辅助电源

上海贝岭功率IGBT/MOSFET参考设计方案与技术样品免费申请