双端口存储器原理实验

1.实验目的及要求

1.1实验目的

1）了解双端口静态随机存储器IDT7132的工作特性及使用方法。

2）了解半导体存储器怎样存储和读出数据。

3）了解双端口存储器怎样并行读写，并分析冲突产生的情况。

1.2实验要求

1）做好实验预习，掌握IDT7132双端口存储器的功能特性和使用方法。

2）完成实验任务，根据实验结果填写实验二数据表。

3）写出实验报告，分析实验结果并简述心得体会。

2.实验步骤

1）按电路图要求，将有关控制信号和二进制开关对应接好。

存储器	SBUS	ARINC	LAR	MEMW	MBUS	PCINC	LPC	ABUS
电平开关	K0	K1	K2	K3	K4	K5	K6	GND

2）接通电源，设置操作模式：DP和SW为“1110”，含义为单步，存储器实验。将编程开关拨到“正常”位置,控制转换开关拨到“独立”位置。按CLR按钮,使TEC-8实验系统处于初始状态。    

3）将10H写入AR：为输入数据，需把数据开关拨至10H，打开SBUS；为把数据写入AR中，需打开LAR；然后按下QD即可。

4）将85H写入地址为10H的单元：为输入数据，需把数据开关拨至85H，打开SBUS；为把数据写入存储器中指定单元，需打开MEMW。下一次数据要输入地址为11H的单元，为了为下一次输入数据准备地址，需打开ARINC，使AR+1；最后按下QD即可。接下来的存入数据方法类似。

5）