NAND Flash ECC算法长度计算

NAND Flash中常用的纠错方式

       因为闪存中会有出错的可能，如果没有使用ECC模块，读出的数据和写入的数据会有不匹配的可能，也许一个文件中只有一两个bit不匹配，这也是不能容忍的。相对来说SLC中出错概率比较低，所以使用一个纠错能力不强的Hanming码就可以了，在MLC中Hanming码就显得力不从心了，需要纠错能力更强的RS或者BCH纠错方式了。

       BCH擅长处理随机错误，由于NAND Flash自身的特点，出现随机错误的概率更大一些，所以在MLC中目前应用最多的还是BCH方式。

       ECC校验都需要在增加一些额外的空间来存放ECC效验码。所以常用的在NAND Flash中4K Page的并不是4096Byte，而是1024＋128Byte之类的, 有时候会有更多的额外空间218B；额外空间越多意味着可以使用纠错能力越强的ECC，因为对于同一ECC算法纠错能力越强需要的额外空间越大。

 

对于BCH算法

目前通常以512Byte或者1024Byte为单位处理，因为BCH按位处理数据，所以是4096bit或者8192bit,这里的4096/8192bit是原始数据，BCH需要生成一定的校验数据。下面简要介绍下原理

设最大纠错能力为t

如果选用512B的原始数据长度，则模式为BCH（8191，8191－13×t，t,13)

如果选用1024B的原始数据长度，则模式为BCH（16383，16383－14×t，t，14）

校验数据长度就是13×tÿ