学习笔记(一)| 塑料基板上的无机电子材料的弯曲理论实验研究

论文:Theoretical and Experimental Studies of Bending of Inorganic Electronic Materials on Plastic Substrates

1. 使用材料及结构

  Si带,胶层(环氧树脂)、PET基板

 

2. 弯曲测试:

  测量原长L、横跨距离L-dL,外部力F

3. 参数表达式:

  弯曲形状的描述:

 

  其中, 

  其中,dL/L为施加的应变,h为基底的厚度,w为z方向的基底偏角,w0是中心处的w

  弯曲半径:

 

  相应的应变为

 

4.三种失效形式:

  断裂、滑移、分离

 

5.机理模型

(1)基于梁理论

  轴向压缩应力为

 

  其中,Es是基底杨氏模量,vs是基底泊松比 

  弯曲力矩

 

  最大剪应力

 

  其中Ga是粘附层剪切模量, 

  最大剥离应力(薄膜/粘附界面)

 

  其中,

 

 

  断裂应力:

 

  界面滑移发生在

 

  界面分裂发生在

 

(2)基于有限元理论

  当柔电薄膜宽度相比长度无法被忽略时,

 

 

公式相关MATLAB代码

clc,clear;
% set the parameters of top device film
Ef=130; vf=0.27; hf=1;
%set the parameters of substrate Es=4.2; vs=0.44; hs=50;
% set the parameters of adhesive Ea=0.04;
va=0.44; ha=1;
theta=108;
% the other parameters L=78000; tc=0.02; A2_u=-0.02; % set the limit of l l=0:0.01:0.11; % the value of E_(i=f,s,a) E_f=Ef/(1-vf^2); E_s=Es/(1-vs^2); E_a=Ea/(1-va^2); %the value of ki(i=1`7) Ga=E_a*(1-va)/2; k1=4*Ga*ha*(1/(E_f*hf)+1/(E_s*hs)); k2=12*E_a*ha^3*(1/(E_f*hf^3)+1/(E_s*hs^3)); lamda1=sqrt(k1+2*sqrt(k2))/2; lamda2=sqrt(-1*k1+2*sqrt(k2))/2; beta=6*(1/(E_f*hf^2)-1/(E_s*hs^2))/(ha*12*(1/(E_f*hf^3)+1/(E_s^hs^3))+lamda1^4/(E_a*ha^3)); X=(3*E_a*ha^3*(1/(E_f*hf^3)+1/(E_s*hs^3)))^(1/4); p=sin(theta/360*pi); kp=ellipticK(p); % calculation f1=exp(X*l).*(sin(X*l)-cos(X*l)); f2=exp(X*l).*(sin(X*l)+cos(X*l)); k4=(1-lamda1^2/(2*X^2)-2*X/lamda1)*beta; k5=(1/(E_f*hf)+1/(E_s*hs)*tc); k6=1.5*(1/(E_f*hf^2)-1/(E_s*hs^2)); zz=(exp(X*l).*(1-tan(X*l))); z11=(X^2*L*f1.*zz).*(tan(X*l).*f1+f2); z12=ones(12)/z11; z1=4*E_a*ha*p*kp*z12; k72=ones(12)/(X^2*L*exp(X*l).*cos(X*l)); k71= k6*ha^2*E_a*p*kp/k72; k7=z1*k6*ha/(2*X) +k71 -k5+ (lamda1^2+lamda2^2)*A2_u/(4*Ga*ha); k8=lamda1/(2*Ga*ha) + k4*beta*k6*ha* (1-tan(X*l))/(2*X*(tan(X*l).*f1+f2))-k4*beta; A_u=k7/k8; Cs1=k4*beta*A_u-4*E_a*ha*p*kp*f1/(X^2*L*exp(X*l).*cos(X*l)); Cs=Cs1/(tan(X*l).*f1+f2); Bs1=X^2*L*exp(X*l).*cos(X*l); Bs2=Cs*tan(X*l); Bss=ones(12)/Bs1; Bs=4*E_a*ha*p*kp*Bss+Bs2; dQ1=(l.*f1/(2*X)+(f2-f1-2)/(4*X)); dQ2=(l.*f2/(2*X)-(f2+f1)/(4*X)); dQ=dQ1*Bs+dQ2*Cs*ha^2; %plot ls=l*ha; F=A_u/(4*Ga)-(1/(E_f*hf)+1/(E_s*hs))*tc*ls+hs*p*kp/L-1.5*(1/(E_f*hf^2)-1/(E_s*hs^2))*dQ; plot(l,F)
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