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耗尽型则是指，当VGS=0时即形成沟道，加上正确的VGS时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。由于漏极是从芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流动，而是自重掺杂N+区(源极S)出发，经过P沟道流入轻掺杂N-漂移区，最后垂直向下到达漏极D。源极与衬底在内部连通，二者总保持等电位。随着VGS逐渐升高，受栅极正电压的吸引，在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子，形成从漏极到源极的N型沟道，当VGS大于管子的开启电压VTN(一般约为+2V)时，N沟道管开始导通，形成漏极电流ID。

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图1所示接法的工作原理如下：当输出电压升高时，TL431的1脚(相当于电压误差放大器的反向输入端)电压上升，3脚(相当于电压误差放大器的输出脚)电压下降，光耦TLP521的原边电流If增大，光耦的另一端输出电流Ic增大，电阻R4上的电压降增大，com引脚电压下降，占空比减小，输出电压减小;因此，采用这种接法的电路，一定要把PWM?图2所示接法的工作原理是：当输出电压升高时，原边电流If增大，输出电流Ic增大，由于Ic已经超过了电压误差放大器的电流输出能力，com脚电压下降，占空比减小，输出电压减小;

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