嵌入式面试题——ARM面试题（六）

填空题

1． Nand-Flash闪存每个块的最大擦写次数是______万次，而Nor的擦写次数是______万次。

答案：100、10

2．MTD核心层分为：______层、______层和______层。

答案：用户模块接口、MTD抽象、MTD设备驱动模块

3．Nor-Flash常用于存放______，而Nand-Flash存放______。

答案：系统代码、用户信息

4．作为高速缓存的存储器主要有______、______和______。

答案：SRAM、DRAM、Flash ROM

5．动态RAM有______和______。

答案：SDRAM、DDR

6．ARM有从外部______启动的外启动和从片上______启动的内启动两种启动方式。

答案：SDRAM、ROM