原标题:小科普 | BIOS设置选项详细解释②——内存篇
Load XMP Setting:加载XMP预设。内存出厂后会进行测试,找到一些电压、时序、频率之间稳定运行的参数,保存在内存XMP文件当中,当然你也可以手动超频无视这个选项。这个参数可以被HWiNFO64或AIDA64查阅。
DRAM Reference Clock:内存参考源时钟,比如100Mhz可以实现DDR 3000、3100等频率,133Mhz可以实现DDR 3333等频率。因为内存频率是按照与CPU外频和Home Agent的比率来实现的,通常可以设置为Auto。
DRAM Frequency:内存工作频率,比如DDR4-2800工作在1400Mhz,一般主板会直接显示DDR频率,而这个频率通常是AIDA64当中内存工作频率的2倍。
Primary Timing:第一时序,通常会打印成标签贴在内存颗粒上,就是你买内存看到的那四个参数,CL,tRP,tRCD,tRAS
本篇仅介绍第一时序,其他时序可以查阅更多有关内存资料,Ryzen平台上的ProcODT电阻值等可以查阅AMD官方光头哥的教程(B站av10451553)。
CAS Latency:CL、tCL值。发送给内存横竖行地址的数据开始延迟。通常这个值可以比下面两个值低1~2个周期。这也是最影响内存性能的一个时序参数,直接影响到内存的延迟,也就是说会影响游戏性能哦~·
RAS to CAS Delay:tRCD值,打开内存行和访问内存列的延迟周期。
Row Precharge:tRP值,RAS to CAS Delay的充电周期。通常和RAS to CAS delay设置的值一样。
RAS Active Time:tRAS值,内存颗粒激活与发出内存充电指令的周期。这个参数必须比前两个值加起来大。比如你的内存为16-16-16-36,那么最后这个值必须比16+16=32要大。通常情况下为了稳定性,还要再稍微加一些周期,比如设置在36。
以上四个值都可以在买内存的时候看到。这四个数值越低,内存的延迟也就越低,读取速度也越快,当然也可以手动设置探索一下内存的极限,不过要注意电压的调整。
Command Rate:CR值,命令行比率,能设置成1就设置成1,如果1无法开机就设置2,一般在Skylake以上平台尝试高频的时候都设置为2,性能影响还是比较大的。
第三时序有一个非常有意思的参数,tREFI值,这个值是内存的刷新周期,这个值越高,对于内存性能的提升是非常大的。默认值大概在1万左右(依内存不同而不同)。如果你设置为最大值65535,那么就相当于把内存往上提升了时钟周期,跑分党可以试试,会有惊喜哦。但是如果内存刷新周期太久了会容易丢数据,尤其是内存颗粒密度比较高的情况下(不过你倒是可以给内存加压哦,手动斜眼,AMD光头哥说过内存是按照3.5v的标准设计的,1.5v没什么问题)。
华硕华擎主板里面内存选项有一项MRC Fast Boot可以让电脑在启动的时候跳过内存检查,可以显著加快电脑启动速度,其他品牌的主板也有相应的设置。
AIDA64里面也可以看到XMP文档里面部分第二时序的设置,可以复制一些在对应的BIOS选项中,也可以自行摸索第二时序的规律。其中的tRC值需要等于RP+RAS,比如14-16-16-36的内存tRC值为16+36=52,其中第二时序tRRD对于内存影响也非常大,其中tFAW应当不小于四倍的tRRD周期。
图片来自AMD社区员工,图片当中对于参数的解释要比主板说明书当中的更准。点击阅读原文可以查看。
那么今天的小科普就到这里,下期我们来看看BIOS里面那些和电压相关的设置选项吧~
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