概述:
PCD3855 全部采用 N 沟道 MOSFET,在 4.5V 至 38V 的输入电压范围内工作,可产生 ±0.75% 准确度和 0.6V 至 12.5V 的输出电压。通过监控输出电感器 (DCR) 两端的压降或使用一个采样电阻器,可以对输出电流采样。可编程设定的 DCR 温度补偿在一个宽温度范围内保持准确和恒定的电流限制。内置 1.1Ω 栅极驱动器最大限度地降低 MOSFET 开关损耗,并允许使用多个并联连接的 MOSFET。可在 250kHz 至 770kHz 范围内通过编程设定一个固定工作频率,该固定工作频率也可用内部 PLL 同步至一个外部时钟。该器件仅为 90ns 的最短接通时间使 PCD3855 非常适用于高降压比应用。
跟踪和排序功能允许多个电源的加电和断电优化。其它特点包括电流模式控制、一个用于 IC 电源的内置 LDO、可编程的软启动、两个电源良好信号和外部 VCC 控制。
PCD3855 采用 38 引线 SSOP 或 40 引线 6mm x 6mm QFN 封装
性能:
• 多相工作:多达 12 相
• 高效率:高达 95%
• 大功率:高达 200A
• 4.5V 至 38V 的宽输入电压范围
• 输出电压范围为 0.6V 至 12.5V,准确度为 ±0.75%
• RSENSE 或 DCR 电流采样
• 可编程 DCR 温度补偿
• 强大的 1.1Ω 双路 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器
• 真正的差分放大器实现远端输出电压采样
• 输出电压跟踪或可编程的软启动
• 250kHz 至 770kHz 的可锁相固定频率
• 电流模式控制实现准确和容易的电流均分