SimonLiu的ESP8266与AliOS Things 学习教程系列之十二：Flash操作之KV组件（Key-Value键值组件）

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对于flash介质而言，它是有一定的擦写次数限制的。如果针对介质上一个固定地址进行重复的擦除、写入，将会导致该区域的使用寿命降低，甚至出现介质损坏的情况。AliOS Things 的KV组件的写平衡（磨损平衡）特性就是通过异地更新、垃圾回收等策略来平衡flash介质各个存储区块的磨损程度，以避免某些“特定”存储区块因过度使用而形成坏区，从而延长flash的使用寿命。
以上文字来自博文：AliOS Things KV组件的写平衡特性

举例说，ESP8266的Flash操作是这样的：每次写入之前，需要先擦除，每次需要擦除一个扇区（4K字节），写入需要4字节对齐。一般来说我们存储用户数据不需要写入4K那么多的数据，可能只有几十个字节，但是每次写入都要擦除4K对Flash寿命是有明显影响的。
AliOS Things的KV组件替我们做好了这些事情，一次擦除以后，可以分别写入不同的位置。具体写哪里擦除哪里，AliOS Things已经为ESP8266等芯片做好了适配，你只需要考虑写入的key和value就行了。
乐鑫实际上也为ESP8266和ESP32提供了类似的组件，称为NVS组件，不过操作上比KV组件多了打开、确认写入、关闭等操作。KV组件使用起来更方便。
KV写入代码：

    char option[8] = "auto";
    int len = strlen(option);
    aos_kv_set("mode", option, len, 1);

KV读取代码：

    char option[8];
    int len = 8;
    aos_kv_get("mode", option, &len);

参考链接：
AliOS Things KV组件的写平衡特性-云栖社区-阿里云
【Alios-things笔记】EMW3060 Flash用户数据存储KV - 詆調 - CSDN博客
AliOS-Things–EMW3060–KV - 似水流年 - CSDN博客