CCM是Closely coupled memories的缩写，中文名称是紧耦合存储器，哈佛架构下，一般有两种CCM，分别是ICCM和DCCM， ICCM主要用来存储指令和数据，DCCM仅用来存储数据。一般中低端MCU没有提供多级Cache,兼之指令和数据规模较小，会配备CCM存储器，多用于高可靠，高世实时场合。而高性能AP级处理器一般提供了多级CACHE减少存储访问的Latency,不采用CCM的方式。
比如ARM的TCM（Tightly Coupled Memory)就是一种CCM，它加速了核心对指令和数据的访问速度，通常一拍就可以拿到数据：
CCM和Cache的区别
CCM和CACHE在物理上都是一个片上RAM，由SRAM实现，可以实现在一个时钟周期读取其中存储内容（指令，数据）。但是不能将CCM和Cache之间画等号，Cache是影子内存，是不可以寻址的，Cacheline没有一个固定的地址，而CCM不同，CCM本质上是一个可寻址的片上存储器，每个存储单元有一个独立无二的地址，而且CCM也没有Cache中的替换问题。
打一个不太恰当的比喻，CCM是商品房，70年产权，有产权证，可以落户，而CACHE则是公租房，没有产权，不能继承，只能作为临时委身之所。
OR1200验证CCM
OR1200是一款成熟的32位RSIC软核处理器，其上的QMEM（Quick memory)就是一种CCM（CCM有很多马甲，比如ARM中的TCM，GPU中的 Scraptch Pad, 某些RISCV处理器中的ILM/DLM(Instruction/Data Local Memory，指令/数据本地存储器).OR1200是开源的，可以对它的RTL代码进行仿真分析CCM的实现细节。
QMEM在OR1200中的位置：
顺便多嘴提一句，根据上面OR1200的设计框图可以看出，I/D Cache是PIPT类型的，使用物理地址作为TAG和INDEX的索引。
TLB访问和CACHE访问孰先孰后
抛开具体的OR1200不谈，通用CPU架构设计中，两种顺序都有可能，如果CACHE位于TLB和CPU中间，比如核内的L1 CACHE，是先访问CACHE，CACHE不命中，才访问TLB，此时访问CACHE使用的是虚拟地址，被称为逻辑CACHE，L1 CACHE一般是VIVT的实现。反之，如果TLB位于Cache和CPU中间，如上图，这个时候先访问TLB,得到物理地址，然后用物理地址访问CACHE，这种情况被叫做物理CACHE，一般是PIPT或者VIPT。
Logic Cache && Physical Cache:
Cache分级
依据和CPU距离的不同，Cache可以有多级结构，可以类比与人的短期记忆和长期记忆，L1相当于人类大脑的短期记忆，查找速度快，但是容量小，很容易被新记忆覆盖。而L_N代表长期记忆，减速速度慢，但是容量大，可以记住很多很多的事情。
QMEM内部的实现细节
RTL仿真
对应指令文件，可以看到处理器从0x100地址启动，之后每拍都会返回一条指令。
QMEM本身作为指令存储使用，每条指令都有一个固定的地址, 通过一个RAM子模块实现：
QMEM内部SRAM的仿真：
CPU送到总线上的地址0x100为字节地址，QMEM SRAM识别的是DWORD地址，所以从SRAM上看到的地址为0x40,也是每拍打出一个数据(addr信号和doq信号).
读出来的6条指令和汇编指令吻合：
参考资料
https://www.amd.com/content/dam/amd/en/documents/processor-tech-docs/programmer-references/24593.pdf
L1 Cache architecture in ARM-CSDN博客
http://aturing.umcs.maine.edu/~meadow/courses/cos335/COA04.pdf
https://www3.yildiz.edu.tr/~naydin/CAr/LECTURES/PDF/CAr-13.pdf
TCM(Tightly Coupled Memory)紧耦合存储器前身 - 知乎
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