探索AI时代的刻蚀技术：解锁未来芯片的秘密-CSDN博客

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文章探讨了刻蚀技术在满足人工智能对芯片高性能需求中的重要性，特别是如何应对3D结构制造和存内计算的挑战。文章强调了垂直刻蚀和各向同性刻蚀技术的发展，以及它们在处理AI所需的数据处理能力、存储需求和复杂结构上的关键作用。

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随着人工智能技术的迅速发展，对于芯片性能的需求也在不断提升。刻蚀技术作为芯片制造中的关键环节，正在通过创新应对人工智能时代的挑战。本文将探讨刻蚀技术在满足人工智能时代需求方面的关键作用，并深入剖析其在面对制造上的复杂挑战时的创新应对策略。

预计到2030年，人工智能（AI）将成为一个价值数万亿美元的关键产业，对半导体性能提出了新的挑战。实现下一代AI功能所面临的一些最复杂问题来自设备制造方面，而这些挑战需要通过新的刻蚀技术来解决。

人工智能（AI）对刻蚀技术提出了特殊要求的原因在于其训练所需的大量数据。这些数据需要高水平的并行处理、丰富的非易失性存储器（如NAND）以及快速的数据传输速率，以便将数据推送到内存中并从内存中读取。而先进的设备通常依赖于在三维中制造的架构。刻蚀作为一种减去的过程，在塑造这些设备结构中发挥着重要作用。例如，环绕所有栅（GAA）晶体管、低成本每比特的3D NAND存储器和高带宽存储器对AI的未来至关重要，而这些都需要新的、创新的刻蚀方法来雕刻它们的设备结构。

刻蚀一直是一个关键且具有挑战性的过程，但是推动AI的芯片将把这一过程推向一个新的水平。它们不仅需要前所未有的刻蚀精度，还需要能够有选择性地去除一种材料而将另一种材料保留在原处，修改剩余材料的表面特性，以及刻蚀具有越来越高的纵横比的结构。有时甚至需要横向刻蚀而不仅仅是垂直刻蚀。

AI逻辑的垂直刻蚀

AI逻辑的垂直刻蚀是指一种针对人工智能逻辑而设计的特殊刻蚀技术，它能够在多个方向上均匀地去除材料，而不仅限于单一方向的刻蚀。多年来，各向异性定向刻蚀一直是集成电路制造中的关键工艺，它能够有选择性地在一个方向上去除材料。干法等离子反应离子刻蚀已被广泛应用于实现低介