MCU上拉电阻一般接1K~10K,在1K,4.7K,5.4K,10K这四个电阻中你会选哪个?

上下拉电阻用多大的,需要看场合。
如果在手持设备或电池供电的应用中,可能上下拉电阻会更大一些,比如50K。

一般应用中上下拉电阻,10K、4.7K、5.1K都用,不过有时候还得对照外部器件手册来确定。比如COMS输入的芯片,上下拉电阻可以用大一些,如果是TTL输入的芯片,有时候用的不合适,反而起负作用。

=====

具体用多少看对应的型号的datasheet,不过5V一般用10K,3.3用4.7多一点,具体问题具体分析咯

==============

上拉电阻的选择,主要是参照你所用的mcu和你外接的电路来选择。比如说有的MCU,是5V供电,他的I0口在低电平状态时能够通过的电流为2MA,IO口的低电平是小于0.5V 。
如果你选择的是10k,当mcu为低电平时,通过的电流为0.5MA,IO口端的电压为0.1V,那么这个状态很好,满足要求。
如果选择的是1k,单片机内部是有内阻的,电阻过小,会导致通过IO口的电流过大烧坏单片机,因为单片io内部是有内阻的,电流大了分得的电压就越大,有可能导致IO口末端的电压大于0.5V,单片机认为不是低电平,数据出现错误。

总之:上拉电阻的选择,上拉电阻选择越大,功耗越低,但是要保证通过的电流能驱动外设和IO口。
           上拉电阻选择越小,功耗越大,但是要保证当为低电平时,io口端的电压要在           低电平的电压值的范围之内。
      经验值:一般为5.6k到10k之间,一般都不会出现太大问题。
==================================

楼上各位说的都不错,小弟斗胆抛书包。
1.先看datasheet怎么说,一般都会有。
2.没有的就查datasheet自己算。
3.协议类如i2c的另外考虑
4.我一般就算两个数,10k和4.7k,哪个能用就哪个。。。

<think>嗯,用户问的是MCU上拉电阻型,这需要我详细解释相关因素。首先得明确上拉电阻的作用,比如确定电平状态、抑制干扰、提供驱动电流等。然后要考虑具体的参数,比如电压、电流、功耗这些基本点。 下来,MCU的IO类型很重要,开漏输出必须用上拉电阻,而推挽输出可能不需要。需要说明不同IO结构对上拉电阻的需求差异。然后计算阻值范围,这里要提到欧姆定律,电压除以电流得到电阻,但实际应用中需要平衡功耗速度,可能需要给出典型值,比如1k到10k之间。 功耗问题也不能忽视,电阻越小,电流越大,功耗越高,特别是在电池供电的设备中更需要注意。需要给出计算功耗的例子,比如5V10k电阻的情况下,功耗是2.5mW。另外,上拉电阻对信号边沿的影响,RC时间常数的问题,高速信号可能需要更小的电阻,但这也增加功耗,需要权衡。 还要提到温度稳定性,比如金属膜电阻更稳定,适合高精度场合。输入漏电流的影响,阻值过大会导致电压不足,需要根据漏电流计算最小阻值。总线应用的话,比如I2C总线的标准值,以及多个设备时的调整。 最后总结型步骤,并给出注意事项,比如避免过小或过大阻值,注意布局布线。可能需要举例说明不同场景下的择,比如低功耗用10k,高速用1k。还要检查有没有遗漏点,比如是否提到输入阻抗漏电流的计算,或者不同总线协议的具体要求。确保结构清晰,分点说明,让用户能一步步理解应用。</think>在MCU(微控制器单元)设计中,上拉电阻型需要综合考虑以下关键因素,按优先级分步说明: 1. **明确上拉电阻的作用** - 确保未激活时信号线保持高电平 - 抑制电磁干扰(EMI) - 为开漏输出提供电流路径 - 匹配总线设备驱动能力 2. **核心型参数** $$R_{pull-up} = \frac{V_{cc} - V_{IH}}{I_{pull} + I_{leakage}}$$ - $V_{cc}$:电源电压(3.3V/5V) - $V_{IH}$:输入高电平阈值(查阅MCU手册) - $I_{pull}$:期望灌电流(一般取0.1-3mA) - $I_{leakage}$:总线上所有器件的漏电流之 3. **典型阻值范围** | 应用场景 | 推荐阻值 | 特点分析 | |---------------|------------|------------------------------| | 低速GPIO | 4.7k-10kΩ | 低功耗,温度稳定性好 | | I²C总线 | 1k-4.7kΩ | 满足总线电容充电速度要求 | | 按键检测 | 10k-100kΩ | 降低待机功耗 | | 高速信号 | 470Ω-2kΩ | 减小RC延迟,提升边沿速率 | 4. **详细计算步骤 a. **确定最大阻值**: $$R_{max} = \frac{V_{cc} - V_{IH(min)}}{I_{IH(min)}}$$ b. **确定最小阻值**: $$R_{min} = \frac{V_{cc} - V_{OL(max)}}{I_{OL(max)}}$$ c. **验证功耗**: $$P = \frac{V_{cc}^2}{R}$$ 5. **工程实践要点** - 温度系数择:金属膜电阻(±100ppm/℃)优于碳膜 - 布局要求:总线应用时电阻应靠近MCU放置 - 容性负载补偿:每10pF附加电容增加约1kΩ阻值 - ESD保护:在敏感口并联TVS二极管时需重新计算阻值 6. **常见误区规避** - 避免使用低于1kΩ的电阻(除非驱动特殊负载) - 多主控总线需统一上拉参数 - 3.3V系统慎用5V规格书推荐的阻值 - 注意不同温度下的阻值漂移(高温环境降额使用) 实际案例:STM32F4系列I²C口设计 ```c // 硬件参数: Vcc = 3.3V 总线电容 = 200pF 最大上升时间要求 = 300ns 计算过程: R_max = 300ns / (0.8473 * 200pF) ≈ 1.77择标准值1.5kΩ 验证功耗:P = (3.3)^2 / 1500 ≈ 7.3mW(符合要求) ``` 建议最终型流程: 电源参数 → 口类型分析 → 时序计算 → 功耗验证 → 温度补偿 → 实际测试调整 特殊注意事项: - 在无线通信模块口中需增加0.5-1倍设计余量 - 汽车电子应用建议采用±1%精度的电阻 - 低功耗设备可使用MOSFET实现动态上拉控制
评论 2
添加红包

请填写红包祝福语或标题

红包个数最小为10个

红包金额最低5元

当前余额3.43前往充值 >
需支付:10.00
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明:

1.余额是钱包充值的虚拟货币,按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载,可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值