memory
- 内存
- RAM(Random Access Memory)随机存储器。掉电后数据会消失
- SRAM((Static RAM)写入的数据不会消失,直到下次写入或掉电。常用于CPU的一级缓存、二级缓存。价格昂贵。
- DRAM(Dynamic RAM)写入的数据不能长期保持,必须在一定时间内进行刷新才能保持。常用作内存。价格低于SRAM
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SDRAM(Synchronous DRAM,同步动态随机存取存储器) clock同步是指内存能够与CPU同步存取资料,这样可以取消等待周期,减少数据传输的延迟,因此可提升计算机的性能和效率。 SDRAM已经发展了4代:第一代SDR SDRAM,第二代DDR SDRAM,第三代DDR2 SDRAM,第四代DDR3 SDRAM.(显卡上的DDR已经发展到DDR5)。
- DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM(双数据率同步动态随机存储器)的简称。
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- ROM(Read Only Memory)只读存储器
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MASK ROM(掩模型只读存储器) 制造商为了大量生产ROM内存,需要先制作一颗有原始数据的ROM或EPROM作为样本,然后再大量复制,这一样本就是MASK ROM,而烧录在MASK ROM中的资料永远无法做修改。它的成本比较低。
PROM(Programmable ROM,可编程只读存储器) 这是一种可以用刻录机将资料写入的ROM内存,但只能写入一次,所以也被称为“一次可编程只读存储器”(One Time Progarmming ROM,OTP-ROM)。PROM在出厂时,存储的内容全为1,用户可以根据需要将其中的某些单元写入数据0(部分的PROM在出厂时数据全为0,则用户可以将其中的部分单元写入1), 以实现对其“编程”的目的。
EPROM(Erasable Programmable,可擦可编程只读存储器) 这是一种具有可擦除功能,擦除后即可进行再编程的ROM内存,写入前必须先把里面的内容用紫外线照射它的IC卡上的透明视窗的方式来清除掉。这一类芯片比较容易识别,其封装中包含有“石英玻璃窗”,一个编程后的EPROM芯片的“石英玻璃窗”一般使用黑色不干胶纸盖住, 以防止遭到阳光直射。
EEPROM(Electrically Erasable Programmable,电可擦可编程只读存储器) 功能与使用方式与EPROM一样,不同之处是清除数据的方式,它是以约20V的电压来进行清除的。另外它还可以用电信号进行数据写入。这类ROM内存多应用于即插即用(PnP)接口中。
Flash Memory(快闪存储器) 这是一种可以直接在主机板上修改内容而不需要将IC拔下的内存,当电源关掉后储存在里面的资料并不会流失掉,在写入资料时必须先将原本的资料清除掉,然后才能再写入新的资料,缺点为写入资料的速度太慢。
- 包含ROM和RAM的长处,不仅具备电子可擦除可编程(EEPROM)的性能,还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据(NVRAM的优势),U盘和MP3里用的就是这种存储器。
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Nor Flash:NOR 的特点是芯片内执行(XIP,eXecute In Place),这样应用程序可以直接在闪存内运行,不必再把代码读到系统 RAM 中。NOR 的传输效率很高,在 1~4MB 的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。
Nand Flash:NAND 结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快,常用作 U 盘。NAND Flash没有采取内存的随机读取技术,它的读取是以一次读取一块的形式来进行的,通常是一次读取512个字节,采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NAND Flash上的代码,因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外,还作上了一块小的NOR Flash来运行启动代码
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- 包含ROM和RAM的长处,不仅具备电子可擦除可编程(EEPROM)的性能,还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据(NVRAM的优势),U盘和MP3里用的就是这种存储器。
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- SAS(Serial Access )串行访问存储器。如果存储器只能按某种顺序来存取,也就是说,存取时间与存储单元的物理位置有关,则这种存储器称为串行访问存储器。
- SAM(顺序存取存储器)和顺序存取存储器是完全的串行访问存储器,如磁带,信息以顺序的方式从存储介质的始端开始写入(或读出).
- DAM(直接存取存储器)直接存取存储器是部分串行访问存储器,如磁盘存储器,它介于顺序存取和随机存取之间。
- RAM(Random Access Memory)随机存储器。掉电后数据会消失
- 外存
- NvRAM:Non-Volatile RAM。断电后数据仍能保留的半导体存储器
- 如果通俗地解释非易失性存储器,那就是指断电之后,所存储的数据不丢失的随机访问存储器。
之所以加如此的定义,是因为:
1.与此对应的随机访问存储器(Random Access Memory,RAM)包含SRAM和DRAM(其又分为SDRAM,DDR SDRAM,DDR2 SDRAM ,RDRAM,Direct RDRAM),断电之后信息就丢失了。其中,DRAM又分为SDRAM(由6个晶体管组成),DDR SDRAM(有一个晶体管组成),DDR2 SDRAM(利用电平脉冲的上升沿和下降沿传输数据,使得数据传输频率相对于普通的DDR SDRAM加倍) ,和采用RSL技术的RDRAM,Direct RDRAM),
2.NVRAM可以随机访问。因此有些解释中,说Flash是属于NVRAM,是不准确的。因为从严格意义上来说,Flash分有两种:nand flash和nor flash。其中的nor属于是可以随机访问的,而nand flash不是真正的随机访问,属于顺序访问(serial access)。