DRAM，SRAM，FLASH和新型NVRAM

DRAM是计算技术中必不可少的组件，但并非没有缺陷。新提出的存储器-非易失性DRAM-以及它与当前存储器技术的比较。

不同内存技术的优缺点
在谈论计算机性能时，很容易查看CPU并根据其规格进行假设，包括内核数量，集成专用硬件（例如超线程）以及它包含的缓存数量。
但是，外部I / O与CPU本身一样重要。这就是为什么如果两个市场都使用相同的外部硬件，那么最快的CPU可以和拥有10年历史的CPU一样慢的原因。这也是为什么在升级系统时，设计师必须了解导致系统速度下降的原因。
这就是选择RAM至关重要的地方。
尽管本文绝不是对所有内存技术的全面讨论，但在讨论所提出的内存技术时，DRAM，SRAM和FLASH可以为我们提供有用的比较点。

DRAM
尽管有各种各样的可用RAM类型（具有不同的速度），但它们几乎总是一种特定的类型：  DRAM。DRAM（动态随机存取存储器）是一种基于充电电容器的存储技术，实现起来非常快且便宜。它还允许高密度。
但是DRAM并非没有缺陷。

DRAM中的一位可以存储为电容器上是否存在电荷。

DRAM是易失性存储器，这意味着当存储位放电的电容器时，DRAM将丢失其存储器的内容。这花费的时间长度可能会有所不同，但是通常会在几毫秒内放电。结果，DRAM需要刷新周期，该刷新周期读取数据位，然后将数据重新写回到芯片上，以加强存储的数据。
DRAM也被破坏性地读取。这意味着，当从DRAM中读取一个位时，所访问的存储位的内容将被遗忘，因此需要回写操作。这两个问题意味着DRAM的性能下降，因为它需要不断刷新并重新写入以保留其数据。

SRAM
存在的另一种存储技术称为SRAM，是一种易失性存储技术，它不使用电容器来存储位。相反，它包括一个由六个晶体管制成的简单锁存器。
虽然SRAM在关闭时也会丢失其存储的信息，但它不需要刷新周期，因为其反馈环设计在写入时会锁存数据。这也意味着从SRAM单元读取数据不需要回写操作即可保留数据。这使得SRAM比DRAM快。

SRAM单元
但是，SRAM的每个位昂贵得多，因为它需要六个晶体管，而DRAM则需要一个晶体管和电容器。因此，通常在仅需要少量高速存储器的CPU高速缓存中找到SRAM。

Flash
FLASH是一种类似于DRAM且不同于DRAM的存储技术。
首先，FLASH存储器中的每个位都由单个晶体管组成，但是这些晶体管具有称为浮栅的特殊层。通过使用量子隧道将位存储在FLASH存储器中，以将电子捕获在浮栅层中，这使晶体管或多或少具有导电性。
当在晶体管位上施加电压时，该晶体管的导电能力将取决于浮栅中是否有电子被捕获。
与DRAM不同，FLASH存储器是非易失性的，这意味着FLASH存储器在关闭时将保留存储到其中的所有数据。但是，虽然FLASH存储器可以快速访问并且每位成本相对较低，但它有两个问题使其无法用作CPU RAM。

Flash
第一个问题是NAND FLASH使用的内存拓扑结构无法单独擦除各个位。相反，它们需要擦除整个存储器块（更改单个位需要较大的擦除/写入周期）。
第二个问题是FLASH存储器在物理上具有破坏性。这样做的原因是，当擦除FLASH位时，需要大的电势电压（大约20 V）才能去除捕获在浮栅中的电子。这会在氧化物层中造成少量击穿，并且在许多写入周期中会最终破坏该位。
可以预料，这种晶体管可以保留多达100,000个擦除周期，这对于可移动存储设备（例如USB记忆棒）来说不是问题，但在DRAM中使用是不可接受的。

新提案
闪存和DRAM的问题可能已通过新提出的存储技术解决，该技术将DRAM的优势与FLASH的优势相结合。
IEEE最近发表的一篇论文，由兰开斯特大学物理系的Dominic Lane和Manus Hayne撰写，解释了新存储技术如何以与FLASH非常相似的方法工作。
电子存储在浮栅上以保留信息。但是，建议的存储位具有三层AlSb / InAs层，该层可产生多个量子阱，并且足够厚以确保寿命或存储信息。三阱配置还具有较低的写入和擦除电压要求。

多个堆叠的导电带的使用不同于传统的FLASH存储器，因为FLASH存储器依赖于氧化物层来使捕获的电子绝缘。
新提议的存储器使用交替的半导体势垒。交变带产生的导带连续保持更大的电子能量，从而使电子几乎无法从浮栅反向隧穿（因此产生了非挥发性）。
但是，本文没有明确说明为什么新设计需要低得多的写入/擦除电压（小于2.3 V）。进一步的阅读表明，使用更靠近在一起的多个势垒会降低电子穿过间隙穿隧所需的电压。
降低的电压大大减少了对层的损坏。当电子被隧穿到导电层中时，它们会增加对电子的抵抗力，从而试图将其隧穿出去。多个导带（具有不同的能带隙）的使用意味着电子必须具有特定的能才能隧穿到那些区域中。
因此，捕获在特定阱中的所有电子将具有相似的能量。但是，该能量将不允许电子隧穿到相邻带中，从而将其捕获。

结论
由于多种原因，新的内存模型显示出有望成为一种新的内存技术。存储器是非易失性的，这意味着即使关闭存储器也可以保留其数据。但这也意味着不需要刷新周期，可以显着提高性能。
新的内存系统能够以与DRAM访问时间相似的速度运行-这是要取代DRAM的一项重要功能。
由于所需的栅极电压较低，因此新的存储器建议还使用了明显更少的能量。因此，它将每位散发更少的热量。但是，直到半导体生产商可以采用这种设计并将其投入到硅片上之前，我们将不得不对优质的老式DRAM感到满意。